El diferencial determina si el bit es 0 o 1

La memoria magnética (o MRAM) es un concepto que está en desarrollo desde hace ya bastante tiempo, y que ofrece varias características atractivas. Ahora más que nunca, y con las últimas mejoras en su desarrollo, parece que están a un paso de masificarse. Esto significaría, en caso se logre, ordenadores que se encienden de manera instantánea y grandes ahorros energéticos, sobre todo en dispositivos móviles.

Los ahorros energéticos son particularmente importantes hoy en día, en que todo es portátil. Imagina poder apagar casi completamente tu móvil cuando no lo usas, pero que el mismo se encienda instantáneamente en cuanto lo necesites. Como cereza del postre, estas memorias tienen una velocidad miles de veces superior al de las memorias flash actuales.

Investigaciones anteriores de IBM

En particular, de los años 90 en adelante, lo que se ha cambiado y mejorado, ha sido el diferencial de voltaje que se logra producir cuando se cambia el estado de la memoria (ahora es eléctrica, con un semiconductor, en lugar de con imanes o campos magnéticos). El lograr este avance fue de vital importancia, ya que simplifica el sistema. Por su parte, los relativamente pequeños diferenciales fueron una de las principales razones por la que este tipo de memoria no se adoptó masivamente antes, ya que con un diferencial pequeño, la memoria podría arrojar errores al no diferenciar claramente un “uno” de un “cero”.

Los investigadores están trabajando ahora en aumentar todavía más el diferencial, que en este momento se encuentra entre un 30 y un 40%. Esto indicaría (nuevamente) que esta tecnología se convertiría en la “memoria universal” en breve (al menos si todo sale bien). Luego deberemos esperar que cosas como componentes de hardware y software se compatibilicen para aprovechar este avance, pero creemos esto sucederá rápido ya que las posibilidades son realmente interesantes.

En síntesis: Estas memorias, una vez masificadas, serían más baratas y rápidas que las mejores memorias flash actuales. No poseen límite de reescrituras, ya que no hay desgaste, y podrían alcanzar densidades mucho mayores a las memorias flash. Todo esto permitiría memorias sustancialmente más veloces, más baratas, de mayor capacidad y sin límite de reescrituras. Por esto fueron apodadas las “memorias universales” por sus impulsores.