Samsung lo hizo de nuevo: utilizando su tecnología DRAM de 50nm y uniendo 72 chips de 4Gb, hizo posible este nuevo salto hacia un mejor desempeño en centros de manejo masivo de datos: una memoria modular DDR3 de 32GB. Según las versiones escuchadas, este módulo logra reducir en un 20% el consumo de energía respecto a sus predecesores (los módulos DDR3 de 1,5 Volts), ubicándose en un consumo promedio de 1,35 Volts.

Evolución de la velocidad de transferencia con los años	Mejor rendimiento energético con 1,35V

La tecnología DDR3 está apuntada a los nuevos desafíos que plantean los SO como Vista y Windows 7, siendo estos últimos los preferidos por los fabricantes de hardware para acompañar los microprocesadores de doble y múltiples núcleos. El objetivo es mejorar la experiencia del usuario en función de una mejor calidad de gráficos y un alto rendimiento de trabajo.
 
La evolución de DDR3 ha originado un chip de alto rendimiento que contribuye significantemente a mercados primordiales como la industria gráfica, donde es necesaria una rápida transición de archivos entre almacenamientos de fotogramas.
Con una latencia de aproximadamente 13 nanosegundos, DDR3 también es la solución de memoria ideal para aplicaciones de red donde se producen frecuentes accesos aleatorios.

El desempeño de las unidades DDR3 de Samsung ha alcanzado niveles altamente satisfactorios para la compañía a lo largo de estos años, y se espera (como siempre) el momento de un nuevo logro, de una nueva frontera vencida, de un nuevo paso hacia la excelencia.

Tecnología de 50nm aplicada en memorias RAM DDR3

Aunque todavía no se ha hablado del precio de esta novedad, se sabe que su destino está apuntado a grandes servidores. También se sabe que los módulos de 8GB DDR3 DIMM ya se encuentran en producción destinados a ordenadores de mesa, mientras que los 8GB SO-DIMM están destinados a los portátiles.