Le 28 octobre 2026, des informations de presse attribuées à Reuters faisaient état d’un projet de production limitée de mémoire HBM3E par ChangXin Memory Technologies (CXMT), envisagé au cours des deux mois suivants. Le rendement utilisable était estimé entre 20 et 30 %.
Une production limitée était envisagée
CXMT, fabricant chinois de mémoire DRAM, aurait prévu de démarrer une production limitée de HBM3E dans les deux mois suivant le 28 octobre 2026. Il s’agissait d’un calendrier prévisionnel rapporté, pas d’une date de démarrage annoncée comme un fait accompli.
Un rendement utilisable estimé entre 20 et 30 %
Les informations attribuées à Reuters situaient entre 20 et 30 % la part de HBM3E de CXMT considérée comme utilisable. Le rendement désigne la proportion de puces produites qui répondent aux critères d’utilisation. La fourchette rapportée reste une estimation, et non une mesure indépendante.
La HBM, ou mémoire à bande passante élevée, empile des puces mémoire pour transférer rapidement des données vers des processeurs d’IA. Cette fonction explique l’intérêt de cette mémoire pour les accélérateurs d’intelligence artificielle.
Des échantillons destinés à l’évaluation
CXMT aurait envoyé des échantillons de HBM3E à plusieurs concepteurs chinois de puces pour l’intelligence artificielle. Ces échantillons étaient destinés à une évaluation préliminaire, une étape distincte d’une validation commerciale.
