Reuters berichtete am 28. Oktober 2026, CXMT wolle innerhalb der folgenden zwei Monate mit einer begrenzten Produktion von HBM3E für KI-Prozessoren beginnen. Der Bericht führte anonyme Schätzungen zur Fertigungsausbeute an und meldete, CXMT habe Muster an chinesische Entwickler von KI-Chips geschickt.

Was die Ausbeute von 20 bis 30 Prozent bedeutet

Zwei anonyme Quellen schätzten CXMTs Fertigungsausbeute auf 20 bis 30 Prozent. Die Ausbeute bezeichnet den Anteil gefertigter Einheiten, der die maßgeblichen Spezifikationen erfüllt. Rechnerisch wären das zwei bis drei geeignete Einheiten je zehn gefertigte Einheiten.

Für SK hynix nannten dieselben Quellen eine Ausbeute von rund 70 Prozent. Die Angaben beziehen sich auf Schätzungen; der Bericht nennt keine übereinstimmenden Prüfbedingungen für einen direkten Vergleich.

Was über die HBM3E-Muster berichtet wurde

Eine Quelle ordnete die Leistung der CXMT-Muster eher auf dem Niveau von SK hynix HBM3 als von SK hynix HBM3E ein. Das ist eine qualitative Einschätzung, keine Benchmark-Messung. Die Fertigungsausbeute sagt aus, wie viele Einheiten die Spezifikationen erfüllen; sie ist eine andere Größe als die Leistung eines Speicherchips.

HBM steht für „High Bandwidth Memory“, also Speicher mit hoher Bandbreite. Dabei werden DRAM-Chips vertikal gestapelt und miteinander verbunden. Der Bericht über CXMT enthält keine konkrete Bandbreiten- oder Kapazitätsangabe für das geplante HBM3E.

Frühere Berichte nannten bereits kleine Mengen

FomoEra verwies auf eine August-Meldung von The Information, der zufolge CXMT kleine HBM3E-Mengen hergestellt haben soll. Reuters berichtete im Oktober von einem geplanten begrenzten Produktionsschritt innerhalb der folgenden zwei Monate. Die beiden Angaben beschreiben unterschiedliche Zeitpunkte und Produktionsschritte.

Wie lange neue DRAM-Kapazität bis zum Markt braucht

Der Ausbau von DRAM-Kapazität dauert in der Regel erheblich länger als eine Ankündigung. IEEE Spectrum schrieb im Februar 2026, Bau und Anlauf einer neuen DRAM-Fabrik könnten mindestens 18 Monate beanspruchen. TEN Brief nannte am 2. August 2026 eine typische Verzögerung von ein bis zwei Jahren zwischen Investitionen und zusätzlichem Speicherangebot. Diese Zeiträume beschreiben den allgemeinen DRAM-Ausbau, nicht CXMTs konkreten Zeitplan.