Uno de los interrogantes que rodean al mundo de la informática es cómo los fabricantes lograrán extender la Ley de Moore y colocar más transistores en los procesadores. Intel parece tenerlo todo listo para los 10 nanómetros, pero ha anticipado que la llegada a los 7 nanómetros exigirá nuevos materiales, lo que simboliza el abandono del silicio.
Las cosas se han complicado para Intel en los últimos meses. El lanzamiento de sus chips Broadwell estuvo plagado de demoras, lo que indica que los 14 nanómetros dieron al gigante de Santa Clara una dura batalla. En la última edición de la conferencia ISSCC, Intel explicó que las primeras unidades con fabricación de 10 nanómetros llegarían a finales de 2016 o en el primer trimestre de 2017, siempre que no surjan inconvenientes. Sin embargo, lo destacable es que Intel admitió la necesidad de nuevos materiales para los 7 nanómetros.
Según la estructura de desarrollo tick-tock, Broadwell será reemplazado por Skylake, una nueva arquitectura de 14 nanómetros, y luego por Cannonlake, su reducción a 10 nanómetros. A partir de ahí, la información es escasa, aunque todo apunta a los 10 nanómetros como la última parada para el silicio. El candidato principal para sustituirlo es el arseniuro de indio y galio, un semiconductor del grupo III-V, conocido por su mayor movilidad de electrones, lo que permite transistores más pequeños y rápidos. También se ha considerado la litografía EUV (Extreme UV), pero aún no está lista y habrá que esperar al menos hasta los 5 nanómetros para verla en acción.
Intel también debe optimizar sus paquetes de distribución por cuestiones de formato, temperatura y consumo energético. En primer lugar aparece un diseño 2.5D, donde dos moldes se colocan uno al lado del otro sobre una plataforma mediadora, y 3D, que instala esos moldes uno arriba del otro, incrementando drásticamente el poder de procesamiento en formatos compactos y dispositivos móviles. El silicio se está quedando sin combustible, pero tal vez sea una buena noticia.
