Il 15 ottobre 2026 Reuters ha riferito che il progetto di una fabbrica di memoria NAND negli Stati Uniti previsto da Solidigm era legato all’autorizzazione statunitense per inviare altre apparecchiature a Dalian, in Cina. L’agenzia ha attribuito il collegamento a fonti; la richiesta riguarderebbe SK hynix e macchinari destinati alla produzione di chip di memoria NAND, una tecnologia di memoria flash. Reuters ha riferito il legame tra il progetto e l’autorizzazione.
Le apparecchiature previste per Mod B
I macchinari sarebbero destinati a Mod B, uno spazio dello stabilimento SK hynix di Dalian rimasto inutilizzato. Mod B era stata completata nel 2023, ma l’installazione delle apparecchiature era rimasta incompleta dopo una flessione del mercato della memoria, secondo il resoconto di Investing.com. Le notizie hanno indicato Lam Research, Applied Materials e KLA tra i fornitori delle apparecchiature.
Secondo le fonti citate da Reuters, una maggiore produzione a Dalian avrebbe potuto contribuire a finanziare la fabbrica statunitense. Il piano di Solidigm è distinto dalle conversazioni tra SK hynix e Intel sulla produzione di memoria in Ohio, già raccontate da NeoTeo.
Il calendario delle autorizzazioni
Il 30 dicembre 2025 SiliconANGLE riferì che l’autorizzazione statunitense per le spedizioni di SK hynix e Samsung verso la Cina copriva il 2026 e che dal 2027 sarebbero servite nuove deroghe annuali. Il resoconto di SiliconANGLE colloca così la richiesta aggiuntiva nel quadro delle autorizzazioni per gli anni successivi. Il 15 ottobre 2026 Yahoo Finance riferì che l’approvazione per ulteriori apparecchiature destinate al 2027 era ancora in sospeso. Il resoconto descriveva la situazione a quella data.
La posizione di SK hynix
SK hynix ha detto che l’installazione di apparecchiature a Mod B procedeva in consultazione con il governo statunitense e sotto la sua autorizzazione. La società ha inoltre dichiarato di non voler ampliare la capacità dello stabilimento di Dalian, secondo quanto riportato da Investing.com.
