21 października 2026 r. Samsung Electronics i SK Hynix potwierdziły Reutersowi, że modernizują swoje fabryki NAND w Chinach. Według celów produkcyjnych opisanych przez Reutersa Samsung zamierza wytwarzać w Xi’an układy V9 o 286 warstwach, a SK Hynix planuje w Dalian produkcję pamięci o co najmniej 240 warstwach. Reuters przypisał szczegóły tych planów osobom zaznajomionym ze sprawą.
Samsungowi przypisano też miesięczne cele: 5 tys. wafli w grudniu 2026 r. i 40 tys. do grudnia 2027 r. To ośmiokrotna różnica między dwoma przyszłymi celami, a nie wynik pomiaru produkcji.
Cele dla zakładów w Xi’an i Dalian
NAND to pamięć flash, która zachowuje dane bez zasilania. Trafia między innymi do smartfonów, komputerów i dysków SSD używanych w centrach danych AI. Według Reutersa większa liczba warstw może zwiększać gęstość zapisu i obniżać koszty układu.
| Firma i zakład | Produkcja opisana przez Reutersa | Raportowany cel modernizacji |
| Samsung Electronics, Xi’an | Około 200 warstw NAND | V9 NAND o 286 warstwach, w ramach projektu o wewnętrznej nazwie Monami |
| SK Hynix, Dalian | 192 warstwy NAND | Co najmniej 240 warstw NAND |
Według osób, na które powołał się Reuters, zakład w Xi’an odpowiadał za około 40% światowej produkcji NAND Samsunga. Cel dla Dalian dotyczy innego zakresu warstw niż projekt Samsung Electronics w Xi’an, ale oba plany zakładają modernizację produkcji NAND.
Co oznacza cel Samsunga dotyczący wafli
Reuters podał, że miesięczny cel dla zakładu w Xi’an wynosił 5 tys. wafli na grudzień 2026 r. i miał wzrosnąć do 40 tys. do grudnia 2027 r. Obliczenie 40 000 ÷ 5 000 = 8 pokazuje, że drugi cel jest ośmiokrotnie wyższy od pierwszego.
Samsung oświadczył, że modernizacja ma pomóc zaspokoić rosnący popyt klientów, także w USA. Firma dodała, że nie zwiększa mocy produkcyjnych ani nie buduje nowego zakładu. Liczba wafli w raportowanych celach i deklaracja firmy o mocy produkcyjnej opisują różne elementy modernizacji.
Konkurencja YMTC i amerykańskie licencje
Reuters wskazał konkurencję ze strony chińskiej firmy Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) oraz popyt na pamięci do infrastruktury AI jako tło modernizacji. Dane Omdia przytoczone przez Reutersa pokazują, że w drugim kwartale YMTC miało 38,5% chińskiego rynku NAND, Samsung 33,5%, a SK Hynix 17%.
Od 2022 r. Stany Zjednoczone wprowadzały ograniczenia dotyczące części urządzeń do produkcji układów. Samsung i SK Hynix muszą co roku ubiegać się o licencje na instalowanie w Chinach niektórego sprzętu wyprodukowanego w USA. W 2025 r. amerykańskie Biuro Przemysłu i Bezpieczeństwa (BIS) poinformowało, że nie zamierza przyznawać licencji na modernizację technologii ani zwiększanie mocy w istniejących chińskich zakładach tych firm.
Samsung oświadczył, że modernizacja w Xi’an jest zgodna z amerykańskimi przepisami eksportowymi. SK Hynix przekazał Reutersowi, że instalował sprzęt w konsultacji z rządem USA.