GlobalFoundries peilt für FDX Fusion eine Gate-Dichte von 14 Millionen Gates/mm² und erste Kundenproduktion im Jahr 2028 an. Sudipto Bose, Vizepräsident für den FD-SOI-Geschäftsbereich, nannte 2030 als Ziel für die Hochvolumenfertigung. Die 8-nm-Klasse beschreibt die Dichte, die 7-nm-Klasse das angestrebte Leistungs- und Energieprofil.
Zwei Nanometer-Klassen, zwei verschiedene Zielgrößen
Bose beziffert die geplante Gate-Dichte auf 14 Millionen Gates/mm² und ordnet sie der 8-nm-Klasse zu. GlobalFoundries verwendet die 7-nm-Klasse für das Ziel bei Leistung und Energieverbrauch. Die beiden Angaben beziehen sich also auf unterschiedliche Eigenschaften der geplanten Plattform.
Mit Adaptive Body Biasing (ABB) peilt GlobalFoundries gegenüber der aktuellen FDX-Generation 30 Prozent mehr Leistung bei gleicher Leistungsaufnahme sowie 40 Prozent geringere Leistungsaufnahme bei gleicher Leistung an. Beide Werte sind Unternehmensziele und hängen laut Bose von der jeweiligen Anwendung ab. Zudem soll die digitale Gate-Dichte das 2,2-Fache von 22FDX und 22FDX+ erreichen.
Bei FDX Fusion steht die 8-nm-Klasse für das Dichteziel, die 7-nm-Klasse für das angestrebte Leistungs- und Energieprofil.
Welche Anwendungen GlobalFoundries anpeilt
FDX Fusion ist als vollständig verarmtes Silizium-auf-Isolator-Verfahren (FD-SOI) mit planaren Transistoren vorgesehen. Die Plattform soll digitale Logik mit Analog- und Mixed-Signal-Schaltungen, eingebettetem Speicher und Hochleistungs-RF verbinden.
Bose nennt Konnektivitätschips für Wi-Fi, Bluetooth, Mobilfunk und Satellitenkommunikation, Edge-Mikrocontroller mit Inferenz sowie Automotive-Radar als mögliche Einsatzfelder. Auch Bildverarbeitung und Spracherkennung am Netzwerkrand gehören zu den von ihm beschriebenen Aufgaben. Für Rechenzentren nannte er zunächst Konnektivitäts- und Signalpfadschaltungen, die Signale zu Rechenchips übertragen oder verstärken. CPUs selbst sind nicht das beschriebene Anfangsfeld.
Die Fertigung soll ohne EUV-Lithografie auskommen. Neue Fertigungswerkzeuge sind trotzdem nötig; Bose zufolge will GlobalFoundries möglichst viel von der bestehenden Front-End-Prozesskette in Dresden weiterverwenden.
Vom PDK zur geplanten Kundenproduktion
Bose ordnete die Entwicklung in drei geplante Schritte ein. Das Prozessdesign-Kit (PDK), das Chiphersteller für die Entwicklung mit einem Fertigungsverfahren benötigen, soll zunächst verfügbar werden; danach sind Kundenproduktion und Hochvolumenfertigung vorgesehen.
| Zeitpunkt | Meilenstein |
| 9. Oktober 2026 | GlobalFoundries kündigt Dresden als geplanten Entwicklungs- und Fertigungsstandort für FDX Fusion an. |
| Mitte 2027 | Ziel für ein erstes Prozessdesign-Kit (PDK). |
| 2028 | Ziel für die erste Kundenproduktion. |
| 2030 | Ziel für den Beginn der Hochvolumenfertigung, abhängig von den ersten Anwendungen und Kunden. |
In der Mitteilung von GlobalFoundries vom 9. Oktober 2026 hängt der tatsächliche Beginn der FDX-Fusion-Entwicklungsarbeiten in Dresden von der Genehmigung des IPCEI-AST-Projektstarts durch die Bundesregierung ab. Diese Bedingung betrifft die Entwicklungsarbeiten am Standort, getrennt von den späteren Produktionszielen.
Bose sagte, Kunden hätten sich zum Bau von Chips verpflichtet. In die Produktion sollen sie erst gehen, wenn GlobalFoundries ihre jeweiligen Spezifikationen erfüllt.
