GlobalFoundries fija los objetivos y plazos de FDX Fusion

GlobalFoundries plantea para FDX Fusion una densidad de 14 millones de puertas por mm², que describe como de clase 8 nm, y objetivos de potencia y rendimiento de clase 7 nm. Sudipto Bose, vicepresidente de la unidad de negocio FD-SOI de la compañía, situó la producción inicial para clientes en 2028 y el objetivo de fabricación de alto volumen en 2030. Son metas y plazos previstos por la empresa.

Para entender FDX Fusion, separa la densidad de puertas del objetivo de potencia y rendimiento: GlobalFoundries usa una clase distinta para cada una.

Qué significan las clases de FDX Fusion

En una entrevista publicada el 6 de noviembre, Bose cifró en 14 millones de puertas por milímetro cuadrado la densidad lógica prevista para FDX Fusion y la calificó como de clase 8 nm. La referencia a clase 7 nm describe el objetivo de potencia y rendimiento, no la densidad de puertas ni una dimensión física de los transistores.

GlobalFoundries también plantea que la densidad digital de puertas sea 2,2 veces la de sus procesos 22FDX y 22FDX+. En cuanto al rendimiento, la compañía apunta, con la polarización adaptativa del cuerpo del transistor (ABB) activada, a un 30 % más de rendimiento a igual potencia y un 40 % menos de consumo a igual rendimiento que la generación actual de FDX. Bose señala que los resultados dependerían de la aplicación; la cifra objetivo para un núcleo estándar es una mejora de al menos el 20 %.

FDX Fusion está planteado como un proceso FD-SOI, una tecnología de silicio sobre aislante totalmente agotado, con transistores planares. GlobalFoundries prevé integrar lógica digital, circuitos analógicos y de señal mixta, memoria integrada y radiofrecuencia de alto rendimiento. Bose dijo que el proceso no utilizaría litografía EUV, aunque sí requeriría herramientas nuevas; la empresa busca reutilizar tanto como pueda de la cadena de fabricación frontal ya existente en Dresde.

Los usos que contempla GlobalFoundries

Bose mencionó chips de conectividad para Wi-Fi, Bluetooth, redes móviles y comunicaciones por satélite, además de microcontroladores de borde con inferencia, radar automovilístico y circuitos analógicos y de radiofrecuencia de alta frecuencia. También describió el procesamiento de visión y el reconocimiento de voz en el borde como usos previstos.

Para centros de datos, el foco inicial que describió son los circuitos de conectividad y las rutas de señal que llevan señales hacia los chips de cálculo, no las CPU de esos centros. La combinación prevista de lógica, radiofrecuencia, circuitos analógicos y memoria apunta a integrar distintas funciones en una misma plataforma; qué bloques se combinarán dependerá de las aplicaciones.

Los plazos previstos para el diseño y la producción

Bose situó a mediados de 2027 el objetivo para el primer kit de diseño de proceso (PDK), el conjunto de reglas y modelos que permite diseñar chips para una tecnología de fabricación. La producción inicial para clientes se prevé para 2028; el objetivo de fabricación de alto volumen (HVM) que señaló es 2030, sujeto a las primeras aplicaciones y a la preparación de los clientes.

El 9 de octubre de 2026, GlobalFoundries anunció FDX Fusion para su desarrollo y fabricación previstos en Dresde. El mismo comunicado celebró la culminación estructural de la ampliación SPRINT, pero indicó por separado que el inicio del desarrollo de FDX Fusion en la planta dependía de la aprobación federal alemana del comienzo del proyecto IPCEI AST. La empresa también dijo que clientes se habían comprometido a desarrollar chips, y que su paso a producción dependería de que GlobalFoundries entregara diseños que cumplieran sus especificaciones.