El Chapuzas Informático informó el 16 de octubre de 2026 que TSMC prevé que la capacidad anual de la familia N2 supere en 2027 el doble del nivel de 2026. La previsión se atribuyó a la conferencia de resultados celebrada el 15 de octubre. El dato compara capacidad de fabricación: los envíos de chips terminados dependen también de los pedidos, los diseños y el avance de la producción.

Qué abarca la previsión de N2

Según el reporte, la expansión busca atender la demanda de smartphones, computación de alto rendimiento (HPC) e inteligencia artificial. El Chapuzas situó la ampliación en Hsinchu y Kaohsiung. TSMC, por su parte, indicó que la producción en volumen de N2 comenzó en el cuarto trimestre de 2025, como estaba previsto, en su página oficial sobre la tecnología de 2 nm.

La noticia se suma al panorama de resultados de TSMC que NeoTeo analizó al revisar sus perspectivas de ingresos para 2026. Para ampliar el contexto sobre su despliegue industrial, NeoTeo también abordó la construcción de fábricas de TSMC y la falta de trabajadores.

A14 tiene otro calendario

El mismo reporte atribuyó a TSMC planes para iniciar la producción de riesgo de A14 en 2027 y la producción en volumen en 2028. También señaló que la participación de clientes en A14 era mayor que la de N2 en una etapa de desarrollo comparable. El Chapuzas distinguió esa participación de los pedidos firmes y de una capacidad ya agotada.

La estimación mensual de 2026

El 27 de septiembre de 2026, Yahoo Finance publicó una información de Investing.com que citaba a la publicación taiwanesa EDN y estimaba que la capacidad mensual de N2 podría alcanzar unas 120.000 obleas hacia finales de ese año, frente a expectativas anteriores de entre 90.000 y 100.000. Esa referencia es mensual y corresponde a una estimación de finales de 2026; la previsión posterior compara niveles anuales. La información de Yahoo Finance e Investing.com ofrece ese contexto previo.

Qué describen TSMC e Intel sobre sus procesos

TSMC describe N2 como su tecnología de transistores nanosheet de primera generación, en la que la corriente circula por láminas horizontales rodeadas por la compuerta. Intel, en cambio, identifica los transistores RibbonFET y el sistema de alimentación por la cara posterior PowerVia en su proceso Intel 18A. La empresa detalla ambos elementos en su página oficial de Intel 18A.