Lors d’une conférence à Shanghai le week-end précédant le 13 octobre 2026, Cao Kanyu, président de ChangXin Memory Technologies (CXMT), a déclaré que l’entreprise prévoyait de lancer avant la fin de l’année une puce 4F² pour serveurs de centres de données, rapporte Bloomberg. Un porte-parole de CXMT a confirmé ses propos à Bloomberg. TradingKey décrit l’application initiale comme une barrette DDR5 RDIMM pour serveurs et présentait le produit comme étant en phase de pré-lancement dans son article du 13 octobre.
Que signifie le passage annoncé de 6F² à 4F² ?
TradingKey compare la conception revendiquée par CXMT aux cellules DRAM conventionnelles de 6F². Le calcul (6−4)/6 donne une réduction nominale de 33,3 % de l’aire d’une cellule. Ce pourcentage porte sur la géométrie de la cellule ; la densité utile, le rendement de fabrication et le coût dépendent aussi des étapes industrielles et de l’intégration du module. Bloomberg qualifiait de non étayée la revendication de percée technologique.
Le reportage de Seoul Economic TV explique la comparaison entre les cellules 6F² et 4F² et aborde les enjeux de production. Il est en coréen.
Les étapes avant une mémoire serveur commercialisée
Une architecture annoncée ne suffit pas à faire d’une mémoire un produit prêt pour les serveurs. TradingKey cite le rendement de fabrication, les tests des modules, leur fiabilité, la stabilité de l’approvisionnement et la qualification par les clients parmi les étapes importantes pour une production à grande échelle. Ce sont ces jalons qui donneront sa portée commerciale au projet de CXMT.
DRAM serveur, HBM et mémoire NAND : des catégories distinctes
Le produit prévu par CXMT relève de la DRAM DDR5 conventionnelle pour serveurs. TradingKey distingue cette application de la mémoire à bande passante élevée (HBM), ainsi que des produits NAND et SSD associés à Kioxia. Pour le contexte de la HBM dans les accélérateurs chinois d’IA, retrouvez aussi notre article sur la pression qu’elle exerce sur ces accélérateurs.
