Le 20 septembre 2026, ChangXin Memory Technologies (CXMT) a annoncé l’entrée en production de masse de sa plateforme DRAM de cinquième génération, baptisée G5. Le fabricant chinois a présenté deux produits LPDDR5X de 24 gigabits chacun, destinés aux smartphones et aux appareils portables, ainsi que plusieurs évolutions revendiquées de son procédé de fabrication.
Cette annonce place CXMT au centre de la course à la mémoire vive basse consommation, un marché dominé par des acteurs comme Samsung Electronics, SK hynix et Micron Technology. CXMT affirme que sa plateforme G5 réduit l’écart avec les procédés de mémoire produits en grande série les plus avancés.
Quels produits LPDDR5X CXMT a-t-elle présentés ?
Les deux produits dévoilés reposent sur la plateforme G5 et offrent chacun une capacité de 24 gigabits. CXMT les propose dans deux formats de boîtier adaptés à différents designs de smartphones et d’appareils portables.
La LPDDR5X est une mémoire vive conçue pour limiter la consommation d’énergie tout en fournissant un débit élevé aux appareils mobiles. Les deux composants G5 appartiennent donc à une génération de produits distincte des références LPDDR5X que CXMT avait annoncées auparavant.
Que recouvrent les 11,95 nanomètres et le quadruple motif ?
CXMT associe sa plateforme G5 à un seuil de 11,95 nanomètres pour certaines structures de cellules de stockage. Cette mesure concerne les structures mentionnées par le fabricant ; elle ne constitue pas à elle seule une équivalence directe avec le nom commercial d’un nœud de production utilisé par un autre fabricant.
Le procédé emploie également ce que les descriptions de la plateforme appellent le quadruple patterning, ou quadruple exposition. Cette technique consiste à multiplier les étapes de structuration pour former des motifs plus fins sur la tranche de silicium. Dans le cas de G5, elle accompagne le seuil de 11,95 nanomètres revendiqué par CXMT.
Le fabricant présente cette combinaison comme un progrès de sa technologie DRAM. Elle s’inscrit dans l’effort plus large de CXMT pour développer en Chine des procédés de mémoire capables de concurrencer ceux de Samsung Electronics, de SK hynix et de Micron Technology.
Les 50 % de matrices supplémentaires ne correspondent pas au rendement final
CXMT affirme que G5 permet d’obtenir au moins 50 % de matrices brutes supplémentaires par tranche par rapport à sa plateforme de quatrième génération. La comparaison utilise une puce de référence de 8 gigabits.
Une matrice brute est une unité potentielle découpée dans une tranche avant les étapes de contrôle et de sélection. Le chiffre annoncé décrit donc une capacité géométrique de production par tranche, et non la proportion de puces qui passent les tests finaux. La nuance est importante : davantage de matrices potentielles ne donne pas automatiquement le même nombre de composants fonctionnels vendables.
La plateforme G5 combine ainsi trois annonces techniques distinctes : un seuil de structure de cellule de 11,95 nanomètres, un procédé de quadruple exposition et une hausse annoncée du nombre de matrices brutes par tranche. Ces éléments décrivent le procédé revendiqué par CXMT, sans fournir à eux seuls une mesure comparable du coût par bit ou du rendement face aux autres fabricants de DRAM.
Une nouvelle étape après les produits LPDDR5X de 2025
CXMT avait déjà annoncé en octobre 2025 que ses produits LPDDR5X à 8 533 Mbps et 9 600 Mbps étaient entrés en production de masse en mai de la même année. À cette date, la version à 10 667 Mbps était proposée à des clients pour échantillonnage.
Ces références appartiennent à une annonce antérieure. Les deux produits de 24 gigabits présentés en septembre 2026 sont, eux, associés à la nouvelle plateforme G5. Cette séparation permet de distinguer l’évolution de la gamme LPDDR5X de CXMT de l’arrivée de sa cinquième génération de technologie DRAM.
Ce que l’annonce change pour le marché de la DRAM
Pour CXMT, le passage annoncé de G5 à la production de masse représente une étape industrielle dans la construction d’une filière chinoise de mémoire. Le fabricant présente sa capacité de procédé comme comparable à celle des plateformes de mémoire les plus avancées produites en série, tandis que la production annoncée de deux composants LPDDR5X donne un débouché concret à cette technologie dans les appareils mobiles.
L’enjeu dépasse donc la seule fiche technique : G5 fournit à CXMT une nouvelle plateforme pour développer sa mémoire basse consommation et renforcer sa position face aux principaux fabricants mondiaux de DRAM.
