D'abord Samsung et ses 15,36 téraoctets, ensuite Seagate et sa capacité de 60 To, et voilà que Toshiba sort de nulle part en anticipant un SSD… de 100 To ? La Flash Memory Summit a littéralement retourné le monde du stockage à semi-conducteurs, et même s'il s'agit encore d'un concept, Toshiba a indiqué lors d'une présentation spéciale que sa nouvelle technologie QLC, à quatre bits par cellule, pourrait donner naissance à des produits affichant 100 téraoctets de capacité, avec une lecture séquentielle de 3 gigaoctets par seconde via l'interface PCI Express.

Le SSD de 100 To de Toshiba
SSD

Tout semble indiquer que nous sommes au début d'une nouvelle course aux armements, et une «bonne». Les coûts affichés sont peut-être prohibitifs pour l'utilisateur moyen, mais si le rythme se maintient, nous verrons un déplacement technologique clair qui favorisera le marché général à court terme. Plusieurs SSD sont déjà disponibles pour moins de 60 euros, fonctionnent parfaitement avec les disques durs traditionnels, et les systèmes d'exploitation récents activent toutes les fonctions nécessaires (un bon exemple est TRIM). Cependant, des géants comme Samsung et Seagate ont commencé à battre des records, d'abord avec une unité de 15,36 To (disponible pour 10 000 dollars), puis avec un prototype de 60 To. Maintenant, un troisième joueur entre en lice : Toshiba.

Le SSD de 100 To de Toshiba
Toshiba

La technologie QLC

Commençons par dire que Toshiba a reçu de bonnes nouvelles. Après un long processus de restructuration (issu du fameux scandale comptable de 2015), il a renoué avec les bénéfices après six trimestres dans le rouge. Il est peut-être trop tôt pour dire que Toshiba est de retour, mais à la Flash Memory Summit, il a lâché une bombe : des SSD de 100 To. En substance, un SSD d'une telle capacité serait possible en combinant des méthodes de fabrication tridimensionnelles et sa nouvelle technologie QLC, qui peut stocker quatre bits par cellule. Logiquement, augmenter le nombre de bits réduit la vitesse et la durabilité de la mémoire Flash, mais Toshiba propose d'adopter l'interface PCI Express 3.0, atteignant 3 Go/s en lecture et 1 Go/s en écriture (les deux en séquentiel).

Endurance et clients potentiels

En ce qui concerne la résistance, Toshiba a indiqué une charge de travail située «entre 3 et 6 pétaoctets», avec une écriture de 900 To, soit neuf cycles complets d'écriture. Certains de ses clients potentiels, comme Facebook, espèrent que la technologie QLC atteigne 150 cycles, même si dans ce type d'environnements, le concept WORM (write-once-read-many) est également très utile pour les «données froides» qui sont modifiées très rarement. Combien de temps faudrait-il à Toshiba pour créer un tel SSD ? Les sources parlent de six mois.

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