La stima di circa 15 anni attribuita a Frank Rohmund, presidente e CEO di ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology, descrive la posizione tecnologica della Cina nello sviluppo della litografia EUV, con particolare attenzione alle ottiche di precisione. Non è una misurazione indipendente, né significa che la Cina impiegherà necessariamente quindici anni di calendario per recuperare il divario.
Il punto è importante perché la litografia EUV non è una singola lente da copiare. È un insieme di sorgente luminosa, ottiche riflettenti, vuoto, rivestimenti multicouche, controllo della contaminazione, metrologia e integrazione del sistema. Qui il margine d’errore non è semplicemente piccolo: è spietato.
Che cosa significa davvero la stima di quindici anni
A settembre 2026, Rohmund ha indicato come ragionevole l’ipotesi che Pechino abbia bisogno di circa 15 anni per sviluppare macchine di litografia a ultravioletti estremi, o EUV. La formulazione va letta come una valutazione prospettica della maturità tecnologica, non come una data di consegna.
Inoltre, l’affermazione non autorizza a dire che la Cina sia indietro di quindici anni in ogni campo dei semiconduttori. Il riferimento è alla tecnologia EUV e alle capacità di alto livello necessarie per realizzarla; la distanza esatta tra ottiche, macchina completa e produzione industriale non è definita dalla stima stessa.
ZEISS ha un ruolo centrale in questo confronto: fornisce a ASML i sistemi ottici per la litografia, compresi i gruppi di illuminazione e proiezione basati su specchi di precisione. ASML integra queste ottiche nelle proprie macchine EUV. La cifra di Rohmund, quindi, arriva da un’azienda che occupa una posizione diretta nella catena tecnologica, ma resta comunque una previsione interessata e non un benchmark misurato.
Perché l’EUV usa specchi e non lenti
La litografia EUV utilizza luce con una lunghezza d’onda di 13,5 nanometri. A questa scala, l’aria e i materiali ottici comuni assorbono la radiazione: una lente tradizionale non lascerebbe passare in modo utile il fascio. Per questo le macchine EUV lavorano in vuoto e usano specchi riflettenti con rivestimenti multicouche.
La sorgente genera la radiazione colpendo goccioline di stagno con impulsi laser a CO₂. Il fascio viene poi raccolto, modellato, indirizzato verso la maschera e proiettato sul wafer attraverso una catena di ottiche riflettenti. Non è un percorso lineare da manuale scolastico: ogni riflessione deve conservare la forma del fronte d’onda e la posizione del disegno con precisione estrema.
Le ottiche di proiezione descritte da ZEISS comprendono sei specchi. Il gruppo conta circa 20.000 componenti e pesa circa 2 tonnellate; il sistema di illuminazione arriva a circa 15.000 parti e 1,5 tonnellate. Questi numeri non misurano da soli il divario con la Cina, ma fanno capire perché parlare di “ottiche” come se fossero un componente isolato sia riduttivo.
La precisione che rende difficile replicare gli specchi EUV
Uno specchio EUV non è semplicemente una superficie lucida. La sua struttura riflettente è composta da strati alternati di silicio e molibdeno: un’analisi tecnica riporta spessori esemplificativi di circa 4,1 nanometri per il silicio e 2,7 nanometri per il molibdeno.
Questi strati devono essere depositati con una regolarità eccezionale. Il principio è quello di un riflettore di Bragg: le riflessioni provenienti dai diversi strati si sommano nel modo corretto per restituire la luce EUV. Se la distanza tra gli strati cambia, cambia anche la risposta ottica.
C’è poi la superficie del substrato. Un video tecnico cita un obiettivo di lucidatura nell’ordine dei 53 picometri RMS, cioè una scala inferiore al nanometro. È un valore derivato da materiale video e va distinto dalle specifiche dichiarate direttamente da ZEISS, ma rende bene il problema: le irregolarità non possono essere valutate con una semplice ispezione visiva.
Servono metrologia del fronte d’onda, deposizione controllata, lucidatura ionica e verifiche ripetute. Anche la sorgente introduce difficoltà: il plasma di stagno può contaminare il collettore e richiede procedure di pulizia. La sfida, insomma, non è soltanto produrre uno specchio che rifletta; è produrne molti con caratteristiche compatibili, inserirli nel sistema e farli lavorare nel tempo.
Il percorso cinese: EUV e DUV non sono equivalenti
Le informazioni riportate descrivono un prototipo cinese in grado di generare luce EUV, ma non un sistema pubblico mostrato mentre produce un chip funzionante. È una distinzione decisiva: generare la radiazione è un passaggio, trasformarla in un processo di esposizione stabile e produttivo è un altro problema di scala molto diversa.
La litografia DUV, cioè a ultravioletti profondi, segue invece un percorso distinto. Nel materiale tecnico di confronto viene citata una lunghezza d’onda DUV di 193 nanometri, molto più lunga di quella EUV. Secondo le informazioni riportate, la Cina è più vicina alla produzione in volume di strumenti DUV a immersione che alla produzione commerciale basata su EUV.
| Dimensione tecnologica | Posizione EUV di ZEISS e ASML | Posizione cinese riportata |
| Architettura ottica | Sistemi di illuminazione e proiezione basati su specchi multicouche e funzionamento in vuoto | La configurazione ottica di un sistema EUV nazionale non è descritta pubblicamente con dati comparabili |
| Lunghezza d’onda EUV | 13,5 nm | Un prototipo viene descritto come capace di generare luce EUV |
| Ottiche di proiezione | Sei specchi; circa 20.000 parti e 2 tonnellate | Non sono disponibili valori pubblici comparabili per un sistema nazionale EUV |
| Risultato industriale | Le ottiche ZEISS sono integrate nelle macchine EUV di ASML | Non è stato mostrato un sistema EUV cinese mentre produce un chip funzionante |
| Percorso più vicino alla produzione | EUV industriale e sviluppo verso High-NA-EUV | La produzione in volume di strumenti DUV a immersione è descritta come più vicina dell’EUV |
Questa differenza impedisce di trasformare il progresso DUV in una prova di maturità EUV. Sono tecnologie collegate dalla fabbricazione dei chip, ma non intercambiabili: cambiano la sorgente, la lunghezza d’onda, le ottiche e i requisiti di processo.
Perché 2028 e 2030 restano previsioni
Nel materiale circolano due orizzonti per la produzione cinese di chip con tecnologia EUV domestica: 2028 come obiettivo riportato e 2030 come previsione più prudente. Nessuna delle due date equivale a un evento produttivo già dimostrato.
La differenza tra una dichiarazione di obiettivo e una milestone industriale è concreta. Un obiettivo indica dove un programma vorrebbe arrivare; una previsione prova a stimare quando potrebbe riuscirci; una produzione confermata richiede invece una macchina operativa, un processo ripetibile e chip funzionanti ottenuti in condizioni industriali. Confondere questi tre livelli produce titoli molto più netti dei fatti.
Per la stessa ragione, il numero di Rohmund non va letto come “mancano quindici anni”. Indica una distanza stimata nella capacità tecnologica attuale. Il calendario del recupero potrebbe cambiare se la Cina scegliesse architetture differenti, usasse tecniche di multipatterning o accettasse costi produttivi più elevati. Queste possibilità non cancellano la difficoltà delle ottiche EUV; mostrano soltanto che un divario tecnologico e il tempo necessario per colmarlo non sono la stessa cosa.
Come leggere davvero il divario tecnologico
La domanda più utile non è se la Cina sia “a quindici anni” da una macchina EUV, come se esistesse un cronometro universale. È capire quale parte della catena sia stata dimostrata e a quale livello di produzione.
Per le ottiche EUV, il confronto riguarda almeno cinque strati: la generazione della luce, la riflessione multilayer, la precisione delle superfici, la gestione del vuoto e l’integrazione con il resto della macchina. A questi si aggiungono produttività, affidabilità, manutenzione e capacità di operare in fabbrica. Un prototipo può risolvere uno di questi passaggi senza aver risolto gli altri.
Il risultato è una lettura meno spettacolare, ma più solida: ZEISS e ASML rappresentano una piattaforma EUV industriale già integrata; la Cina viene descritta come impegnata nello sviluppo di alternative domestiche, con progressi riportati più vicini alla DUV che alla EUV. Il “gap” di 15 anni è quindi un modo sintetico per indicare una posizione tecnologica stimata, non una profezia precisa sull’arrivo di un prodotto.
In sintesi
La litografia EUV richiede specchi multicouche, vuoto e metrologia a livelli di precisione estremi perché la luce a 13,5 nanometri non può essere gestita con lenti convenzionali. La stima di Frank Rohmund segnala quanto sia ampia, secondo ZEISS, la distanza cinese nello sviluppo di questa tecnologia; non stabilisce una scadenza certa.
Il prototipo EUV riportato e le date 2028-2030 appartengono a un livello diverso da una macchina commerciale che produce chip funzionanti. Per capire se il divario si sta davvero riducendo, il parametro decisivo non sarà il titolo di un programma, ma la dimostrazione ripetibile dell’intera catena: dalla sorgente alla produzione industriale.
