A estimativa atribuída a Frank Rohmund, presidente e CEO da ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology, coloca a China cerca de 15 anos atrás no desenvolvimento de máquinas de litografia EUV — sigla em inglês para ultravioleta extremo. O número deve ser lido como uma previsão sobre a posição tecnológica chinesa, especialmente em óptica de precisão, e não como uma contagem regressiva garantida para a produção comercial de chips.
Essa distinção é importante: o intervalo não representa toda a indústria de semicondutores da China, não é uma medição independente e não significa necessariamente que serão necessários 15 anos corridos para eliminar a diferença. A tecnologia pode avançar por caminhos diferentes, com outros equipamentos, múltiplas exposições e custos maiores.
O que a estimativa de 15 anos realmente mede
Rohmund descreveu a distância como uma “suposição razoável” para o desenvolvimento chinês de tecnologia EUV, segundo relatos sobre suas declarações em setembro de 2026. O alcance exato da cifra não deve ser ampliado para virar um ranking geral da indústria chinesa: o ponto central é a capacidade de desenvolver a tecnologia de litografia EUV em seu nível mais avançado, incluindo as ópticas necessárias para formar padrões minúsculos nos chips.
Na arquitetura industrial atual, a ZEISS fornece as ópticas de iluminação e projeção que a ASML integra em suas máquinas de litografia EUV. Portanto, quando se fala em “óptica EUV”, não se está falando de uma lente convencional isolada, mas de um conjunto de espelhos, revestimentos, fontes de luz, sistemas de medição e controle extremamente precisos.
Por que as máquinas EUV usam espelhos
A litografia EUV trabalha com luz de 13,5 nanômetros. Nessa faixa, a radiação é absorvida por materiais ópticos comuns — e até pelo ar. Lentes refrativas, como as usadas em equipamentos ópticos convencionais, simplesmente não servem para conduzir essa luz. O caminho é usar espelhos refletores dentro de uma câmara de vácuo.
Esses espelhos não são superfícies metálicas simples. Eles recebem revestimentos com camadas alternadas de silício e molibdênio, que funcionam como uma estrutura de interferência capaz de refletir a luz EUV. Em uma explicação técnica incorporada nesta matéria, aparecem camadas exemplares de 4,1 nm de silício e 2,7 nm de molibdênio.
A óptica de projeção da ZEISS usa seis espelhos. A própria empresa descreve um sistema de iluminação com cerca de 15 mil peças e massa de 1,5 tonelada; sua explicação sobre a óptica de projeção fala em aproximadamente 20 mil peças e 2 toneladas. Esses números ajudam a colocar a discussão em perspectiva: reproduzir EUV não é simplesmente fabricar um espelho com uma superfície polida.
A precisão extrema dos espelhos EUV
O desafio começa na fabricação das camadas e termina na integração de todo o sistema. Pequenos desvios na espessura dos revestimentos alteram a forma como as ondas de luz interferem. A superfície também precisa ser polida com precisão extrema: uma explicação técnica cita um alvo de 53 picômetros RMS, uma medida de rugosidade superficial apresentada como referência de fabricação de espelhos EUV.
Isso exige deposição de filmes finos, polimento, metrologia — o conjunto de técnicas usado para medir dimensões e desvios — e controle rigoroso do ambiente. O sistema ainda precisa lidar com a fonte de luz: gotas de estanho atingidas por pulsos de laser de CO₂ formam um plasma que produz a radiação EUV. O material pode contaminar o coletor, acrescentando outro problema de manutenção e controle de partículas.
Em outras palavras, o gargalo não é necessariamente uma única peça. A dificuldade está em fazer fonte, espelhos multicamadas, vácuo, medição, alinhamento, limpeza e produtividade funcionarem juntos. É por isso que a cifra de Rohmund descreve uma distância tecnológica ampla, e não apenas a capacidade de fabricar uma superfície refletora.
O que é relatado sobre o avanço chinês
Os relatos disponíveis separam duas frentes que costumam aparecer misturadas nas manchetes: EUV e DUV. A litografia DUV, ou ultravioleta profundo, usa comprimentos de onda mais longos; a especificação citada pela ZEISS para comparação é de 193 nm. Segundo os relatos, a China está mais próxima de produzir em volume equipamentos DUV de imersão do que de operar uma capacidade EUV comercial.
Já no caso da EUV, há relatos de um protótipo chinês capaz de gerar luz EUV. Isso é diferente de demonstrar uma máquina completa produzindo chips funcionais. A produção de um chip com um sistema EUV doméstico não está publicamente demonstrada nas informações disponíveis para esta análise.
| Dimensão | Posição EUV da ZEISS/ASML | Posição chinesa relatada |
| Arquitetura óptica | Espelhos multicamadas em vácuo, com seis espelhos na óptica de projeção | O desenvolvimento óptico doméstico é o centro da distância tecnológica estimada |
| Fonte de luz | Plasma de estanho gerado por pulsos de laser de CO₂ | Há relatos de geração de luz EUV em um protótipo |
| Integração industrial | Ópticas da ZEISS integradas às máquinas EUV da ASML | Não há demonstração pública estabelecida de produção comercial com EUV doméstica |
| Tecnologia mais próxima da produção em volume | EUV já é uma tecnologia industrial estabelecida | Relatos colocam a DUV de imersão mais perto do volume do que a EUV |
Por que 2028 e 2030 continuam sendo previsões
Datas como 2028 e 2030 aparecem em relatos e projeções sobre quando a China poderia produzir chips com tecnologia EUV doméstica. Elas não são marcos de produção confirmados. Uma meta, uma previsão cautelosa, um protótipo que gera luz e uma máquina capaz de fabricar chips em volume são etapas diferentes — e não dá para saltar de uma para outra apenas porque todas envolvem a mesma sigla.
A diferença também aparece na palavra “funcional”. Gerar radiação EUV demonstra uma parte do problema da fonte. Não demonstra, por si só, que a máquina consiga manter o feixe estável, refletir a luz com eficiência, projetar padrões sobre o wafer, controlar contaminação e repetir o processo com produtividade industrial.
O que a diferença tecnológica significa de verdade
Não: estar 15 anos atrás não equivale automaticamente a precisar de 15 anos para alcançar o líder. A cifra é uma estimativa de posição tecnológica, não um cronograma fechado. Um país que chega depois pode se beneficiar de soluções já conhecidas, adotar uma rota de engenharia diferente ou usar equipamentos mais antigos em múltiplas etapas de exposição. O preço pode ser maior e a produtividade, menor, mas isso ainda muda o calendário em relação a uma simples conta de quinze anos.
Ao mesmo tempo, caminhos alternativos não tornam a EUV irrelevante. Eles podem permitir a fabricação de determinados chips sem resolver imediatamente todos os desafios da litografia ultravioleta extrema, mas não equivalem a dominar uma máquina EUV de produção. A comparação correta é entre capacidades específicas: fonte de luz, óptica, metrologia, integração, rendimento e produção repetível.
A conclusão curta
A afirmação de Frank Rohmund é relevante porque vem do executivo de uma empresa central na fabricação das ópticas EUV usadas pela ASML. Mas seus “15 anos” devem ser entendidos como uma estimativa sobre a posição tecnológica chinesa em EUV, não como uma medição auditada nem como uma previsão garantida de mercado.
O ponto concreto é mais interessante — e mais difícil — do que a manchete: a China pode avançar em DUV e desenvolver componentes EUV sem que isso signifique ter uma máquina doméstica capaz de produzir chips funcionais em escala comercial. Em EUV, chegar à luz é apenas o começo. O verdadeiro teste é fazer todo o sistema trabalhar junto, com precisão e produtividade.
