La estimación atribuida a Frank Rohmund, presidente y CEO de ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology, sitúa en unos 15 años la diferencia de China respecto al desarrollo de máquinas de litografía ultravioleta extrema (EUV). La cifra, comunicada en septiembre de 2026, es una previsión sobre una posición tecnológica y no una medición independiente ni una cuenta atrás garantizada para toda la industria china de semiconductores.
La distinción importa. La EUV no es una pieza aislada, sino un conjunto de óptica reflectiva, fuente luminosa, vacío, recubrimientos, metrología e integración de sistemas. China ha avanzado más cerca de la producción en volumen en litografía ultravioleta profunda (DUV), según la información disponible, mientras que su esfuerzo EUV sigue describiéndose en términos de prototipo y previsión. No se ha establecido públicamente que un sistema EUV doméstico haya fabricado un chip funcional.
Qué mide realmente la estimación de 15 años
La frase de Rohmund debe entenderse como una valoración del desarrollo de la tecnología EUV, con especial atención a los sistemas ópticos de precisión que hacen posible proyectar circuitos sobre una oblea. No demuestra que China esté exactamente quince años de calendario por detrás, ni que vaya a necesitar ese mismo tiempo para alcanzar una capacidad industrial concreta.
Tampoco permite convertir una diferencia en EUV en un ranking general de toda la industria china de chips. Un fabricante puede progresar en otras partes de la cadena, utilizar tecnologías distintas o recurrir durante un tiempo a procesos menos eficientes. Por eso, la pregunta útil no es «¿cuándo se cumplen quince años?», sino qué parte de la cadena puede demostrar ya una capacidad repetible y de producción.
Por qué la litografía EUV necesita espejos
La litografía EUV trabaja con luz de 13,5 nanómetros. A esa longitud de onda, los materiales ópticos habituales absorben la radiación; el aire también resulta un obstáculo. Las lentes convencionales, tan normales en una cámara o en un microscopio, no sirven aquí.
La solución es hacer rebotar la luz en espejos multicapa dentro de una cámara de vacío. Las superficies combinan capas alternas de silicio y molibdeno que actúan como un reflector de Bragg: las reflexiones se refuerzan en la dirección adecuada y permiten guiar una fracción de la luz EUV.
ZEISS describe unas ópticas de proyección con seis espejos y alrededor de 20.000 piezas, con una masa aproximada de 2 toneladas. El sistema de iluminación suma unos 15.000 componentes y pesa alrededor de 1,5 toneladas. No es una lente sofisticada; es una cadena completa de piezas que debe mantener su comportamiento óptico dentro de tolerancias extremas.
La precisión imposible de los espejos EUV
Fabricar el espejo es solo el principio. Las capas deben depositarse con un espaciado muy preciso: una explicación técnica de la fabricación describe capas de silicio de aproximadamente 4,1 nm y de molibdeno de 2,7 nm. Después hay que pulir la superficie y medirla para controlar el llamado error de frente de onda, es decir, cuánto se desvía la luz de la trayectoria ideal.
Otra explicación técnica sitúa en 53 picómetros RMS uno de los objetivos de pulido citados para estas superficies. Es una cifra procedente de material audiovisual técnico, no una especificación general que deba trasladarse a cada espejo o a cada máquina. La idea importante es más sencilla: a esta escala, una irregularidad minúscula puede degradar la imagen proyectada sobre la oblea.
La fuente tampoco es trivial. Gotas de estaño reciben pulsos de láser de CO₂ en el vacío para generar plasma y producir la radiación EUV. Ese proceso puede dejar depósitos en el colector, de modo que la contaminación y la limpieza forman parte del problema de ingeniería. El resultado se parece menos a «fabricar un espejo» que a coordinar una pequeña ciudad de subsistemas que deben funcionar a la vez.
EUV y DUV no son la misma carrera
La litografía DUV emplea longitudes de onda más largas; en la comparación técnica de ZEISS aparece la referencia de 193 nm. No ofrece exactamente el mismo camino que la EUV, pero sigue siendo una tecnología relevante para fabricar chips y puede combinarse con técnicas de multipatronado, que repiten exposiciones para construir estructuras más pequeñas.
La información disponible sitúa a China más cerca de la producción en volumen de equipos DUV de inmersión que de la producción comercial de sistemas EUV. Son dos avances distintos y no conviene mezclarlos: progresar en DUV no equivale a haber resuelto las ópticas EUV, la fuente de luz, la metrología y la integración necesarias para una máquina EUV completa.
La relación industrial también es concreta. ZEISS desarrolla las ópticas de iluminación y proyección basadas en espejos multicapa, mientras que ASML integra esos sistemas ópticos en sus máquinas de litografía EUV. El cuello de botella, por tanto, no se reduce a una única lente —que ni siquiera puede utilizarse en este proceso— ni a una sola empresa.
| Dimensión | Posición EUV de ZEISS/ASML | Posición china reportada |
| Principio óptico | Espejos multicapa de precisión que trabajan en vacío con luz de 13,5 nm | El desarrollo óptico doméstico forma parte de la brecha tecnológica estimada; no se ha establecido una arquitectura comercial equivalente |
| Sistema completo | ZEISS suministra la óptica y ASML integra la máquina EUV para la fabricación avanzada de chips | Se ha informado de un prototipo capaz de generar luz EUV, pero no de una producción pública demostrada de chips funcionales |
| Iluminación | Fuente basada en gotas de estaño y pulsos de láser de CO₂ | La capacidad de generar EUV se ha descrito en informaciones sobre un prototipo, sin demostrar una línea comercial completa |
| Trayectoria industrial | Tecnología EUV integrada en equipos de fabricación de semiconductores | El avance reportado en DUV de inmersión aparece más próximo a la producción en volumen que el esfuerzo EUV |
2028 y 2030 son previsiones, no hitos confirmados
Las fechas de 2028 y 2030 aparecen como un objetivo reportado y una previsión más prudente para la producción de chips con tecnología EUV doméstica china. No son anuncios de producción confirmada ni demostraciones de una máquina funcionando en una fábrica.
Hay cuatro escalones que conviene no confundir:
- Investigar un componente: resolver, por ejemplo, una fuente luminosa, un recubrimiento o una técnica de medición.
- Generar radiación EUV: demostrar que una fuente produce la longitud de onda buscada.
- Fabricar un chip funcional: integrar fuente, óptica, vacío, control y proceso de oblea con un resultado operativo.
- Producir en volumen: repetir ese resultado con rendimiento, productividad y mantenimiento industrial.
Saltar del segundo escalón al cuarto en un titular es la clase de atajo que convierte una carrera tecnológica compleja en una falsa fecha de lanzamiento.
Qué significa —y qué no— estar 15 años por detrás
No significa necesariamente que China vaya a tardar quince años exactos en alcanzar una capacidad concreta. La cifra describe una distancia estimada entre posiciones tecnológicas; el tiempo necesario para reducirla dependerá de la ruta de ingeniería, la integración de sistemas y la capacidad de repetir el proceso a escala industrial.
También es posible fabricar determinados circuitos sin disponer inmediatamente de EUV, recurriendo a DUV, multipatronado y más exposiciones. Eso puede resolver necesidades concretas, aunque no convierte esas técnicas en un sustituto idéntico de la EUV ni demuestra que el problema óptico haya desaparecido.
La lectura más sólida es, por tanto, bastante menos espectacular que el titular: ZEISS considera razonable una brecha aproximada de 15 años en el desarrollo EUV chino, pero esa cifra no mide toda la industria de semiconductores ni fija una fecha de llegada. La señal decisiva será otra: una máquina EUV doméstica que no solo genere luz, sino que integre todos sus subsistemas y fabrique chips funcionales de forma repetible.
