Lisa Su, prezes AMD, miała 7 października 2026 r. odwiedzić siedzibę Samsung Electronics w Seulu i spotkać się z Young Hyun Junem, wiceprezesem i dyrektorem generalnym firmy. Doniesienia łączyły wizytę z rozmowami o dostawach HBM — pamięci o wysokiej przepustowości, wykorzystywanej w akceleratorach AI — oraz o szerszej współpracy obu firm.

Co obejmuje marcowe memorandum

18 marca 2026 r. AMD i Samsung Electronics ogłosiły niewiążące memorandum o współpracy. Obejmuje ono dostawy HBM4 dla akceleratora AMD Instinct MI455X, współpracę przy zaawansowanej pamięci DDR5 i rozwoju pamięci, a także badanie możliwości produkcji kontraktowej układów oraz współpracę przy zaawansowanym pakowaniu chipów.

To ostatnie dotyczy obszaru Samsung Foundry — działalności firmy zajmującej się produkcją układów na zlecenie. Memorandum opisuje możliwość zbadania takiej współpracy, a nie przyznane zlecenie produkcyjne.

Pojemność HBM w MI455X i MI355X

Instinct MI455X ma według doniesień korzystać z 432 GB HBM4 na akcelerator, a Instinct MI355X — z 288 GB HBM3E. Różnica wynosi 144 GB, czyli pojemność przypisana MI455X jest o 50% większa od wartości podanej dla MI355X.

Lisa Su miała również poinformować, że AMD rozpoczęło wysyłki systemów MI455 i Helios wykorzystujących HBM4. To doniesienie dotyczy użycia HBM4 w tych systemach, nie wskazuje jednak jednego dostawcy pamięci dla każdej wysyłanej sztuki.

Samsung Foundry w szerszej współpracy

Doniesienia dotyczące październikowej wizyty wskazywały, że Samsung Electronics chciało rozszerzyć relację z AMD jako dostawca pamięci o zlecenia dla Samsung Foundry. Wcześniejsze memorandum uwzględniało już badanie możliwości współpracy foundry, ale ten obszar pozostawał jednym z kilku punktów porozumienia.

AMD w raporcie rocznym za 2025 r. wymieniło ogólne ryzyka związane z przenoszeniem produkcji do nowych producentów: opóźnienia we wprowadzaniu produktów, niższe uzyski produkcyjne lub gorszą wydajność. Lisa Su mówiła też o planowaniu łańcucha dostaw z partnerami z wyprzedzeniem od trzech do pięciu lat.