A multipadronização DUV é uma técnica que divide uma camada complexa de um chip em padrões mais simples, impressos em exposições sucessivas de luz ultravioleta profundo. Ela permite fabricar chips avançados sem recorrer à litografia EUV nessa etapa, mas exige mais alinhamento e controle do processo, o que pode afetar o tamanho dos dies e a quantidade de chips vendáveis por wafer.
Como várias exposições formam uma camada
Na litografia, uma máscara define o padrão que será transferido ao material do chip. Com a multipadronização DUV, várias máscaras aplicam desenhos mais simples em sequência para formar uma camada complexa. Cada novo padrão precisa se alinhar às estruturas que já foram gravadas.
Esse alinhamento, chamado de overlay, e as variações do processo criam mais oportunidades de defeitos à medida que as exposições se acumulam. As etapas adicionais também podem prolongar a fabricação.
Por que as máscaras mudam a conta
Em uma entrevista publicada em 23 de outubro de 2026, Chris Mack, cofundador e diretor de tecnologia da Fractilia, descreveu uma comparação convencional da indústria: três exposições em uma ferramenta de imersão de 193 nm custavam aproximadamente o mesmo que uma exposição EUV. Segundo Mack, quando a substituição chegava a quatro máscaras de 193 nm por uma máscara EUV, a EUV se tornava mais econômica.
| Configuração | Comparação de custo relatada por Chris Mack |
| Três exposições de 193 nm por imersão e uma exposição EUV | Custo aproximadamente equivalente |
| Quatro máscaras de 193 nm e uma máscara EUV | A EUV se tornava mais econômica |
A comparação ajuda a entender o peso de repetir padrões, mas a conta de fabricação também depende do que sai de cada wafer. Um die é a matriz de silício que forma cada chip. Se o projeto exigir mais espaço entre os elementos para facilitar a fabricação, o die pode ficar maior e caberão menos unidades no wafer. O rendimento, ou seja, a parcela que funciona, determina quantas delas podem ser vendidas.
O que os exemplos de DRAM e lógica permitem concluir
A DRAM, um tipo de memória, tem estruturas repetitivas que são mais fáceis de coordenar com o processo de fabricação do que os circuitos de lógica complexos. A Micron desenvolveu a DRAM 1-alpha com litografia de 193 nm sem EUV; seu processo 1-gamma usa EUV. A Micron afirma que a 1-gamma oferece mais de 30% de densidade de bits por wafer em relação à geração 1-beta. Douglas Fuller, pesquisador da Copenhagen Business School, prevê que a embalagem avançada poderá permitir o uso de DUV nas gerações mais recentes de DRAM até o fim da década.
Uma análise técnica do Kirin 9030 situou a densidade do processo da SMIC perto da associada a 5 nm, mas abaixo da escala de processos líderes de 5 nm da Samsung e da TSMC. O nome de um nó, como 5 nm, não basta para demonstrar equivalência entre processos. Chris Mack também considera difícil acreditar na viabilidade econômica de produção em 3 nm ou 2 nm sem EUV.
