Intel habría procesado más de 1.000.000 de obleas de 300 mm con escáneres High-NA EUV hasta septiembre de 2026. El dato incluye obleas de instalación, certificación, investigación y desarrollo, además de actividad de producción. Por eso marca una experiencia acumulada enorme con esta tecnología, pero no equivale a un millón de obleas comerciales procesadas por completo con High-NA EUV.
La noticia importante está en otra parte: High-NA permite trabajar con detalles más pequeños, pero su óptica anamórfica reduce el campo que puede exponerse de una sola vez con las máscaras actuales. Intel intenta resolver ese cuello de botella con una máscara de 6×12 pulgadas. La idea es prometedora; su compatibilidad con los escáneres y su despliegue industrial todavía no están confirmados.
Qué cuenta realmente el millón de obleas de Intel
La cifra es un acumulado de más de 1.000.000 de obleas de 300 mm procesadas mediante escáneres High-NA EUV. Incluye varias fases del trabajo industrial: poner los equipos en marcha, certificarlos, investigar con ellos y fabricar.
La cifra no desglosa cuántas obleas corresponden a cada actividad, por lo que el total no equivale a un volumen exacto de producción comercial. Sí permite extraer una conclusión razonable: Intel lleva mucho tiempo haciendo funcionar y ajustando esta plataforma en condiciones de fabricación, algo valioso cuando una tecnología tan compleja todavía está definiendo sus procesos.
El salto respecto al contexto anterior también ayuda a medir la escala. A finales de febrero de 2025 se hablaba de unas 30.000 obleas procesadas con High-NA; el nuevo acumulado es muy superior, aunque las dos cifras no describen exactamente la misma fase ni desglosan sus actividades de la misma manera.
Por qué High-NA complica los chips grandes
High-NA significa alta apertura numérica. En una máquina de litografía, la apertura numérica describe, de forma simplificada, la capacidad del sistema óptico para recoger y proyectar la luz con ángulos más amplios. La plataforma High-NA de ASML utiliza una apertura de 0,55, frente a 0,33 en la EUV convencional.
El beneficio buscado es imprimir estructuras más pequeñas con menos pasos de modelado. El precio técnico aparece en la óptica anamórfica, que emplea una ampliación de 4×/8×. Con una máscara estándar de 6×6 pulgadas, el campo High-NA queda reducido a aproximadamente 26×16,5 mm. La EUV convencional puede trabajar con un campo de 26×33 mm usando su configuración habitual.
Para un chip pequeño, ese medio campo puede bastar. Para un diseño grande, no necesariamente. Y aquí entra el término que parece sacado de una película de ciencia ficción, pero es pura ingeniería de producción: stitching.
Stitching: dos exposiciones y una penalización de rendimiento
El stitching consiste en realizar dos exposiciones High-NA sucesivas para cubrir un área mayor que el campo disponible. Después, las dos partes deben quedar alineadas con precisión en la frontera común. Cualquier desajuste en esa unión puede complicar el proceso y el rendimiento de los diseños grandes.
En una TWINSCAN EXE:5200B, el rendimiento reportado pasa de 175 obleas por hora sin la penalización asociada al stitching a 125 obleas por hora cuando se utiliza esta técnica. La diferencia es de 50 obleas por hora, pero no conviene leerla como una regla universal para cualquier diseño: es una comparación concreta de esa configuración de exposición.
La tensión es clara: High-NA aporta capacidad de resolución, mientras que el campo reducido obliga a elegir entre limitar el tamaño expuesto de una vez o pagar el coste de una segunda exposición y su alineación.
| Configuración | Formato de máscara | Campo de exposición | Método de exposición | Contexto de rendimiento reportado |
| High-NA con campo actual | 6×6 pulgadas | Aproximadamente 26×16,5 mm | Una exposición para el campo disponible | 175 obleas por hora en una TWINSCAN EXE:5200B, sin la penalización reportada del stitching |
| High-NA con stitching | 6×6 pulgadas | Cobertura de un diseño mayor mediante dos campos de aproximadamente 26×16,5 mm | Dos exposiciones sucesivas y alineadas | 125 obleas por hora en una TWINSCAN EXE:5200B |
| Iniciativa de máscara de mayor formato | 6×12 pulgadas | Campo previsto de 26×33 mm | Una exposición para el campo completo previsto | No hay una cifra de rendimiento comparable comunicada |
La apuesta de Intel por la máscara de 6×12 pulgadas
Intel trabaja con socios del sector en máscaras de 6×12 pulgadas cuyo objetivo sería recuperar un campo completo de 26×33 mm en High-NA, sin recurrir al stitching. Sobre el papel, eso atacaría justo el problema que aparece al fabricar chips grandes: menos uniones entre exposiciones y una ruta potencialmente más sencilla para el diseño del proceso.
Pero hay una diferencia importante entre perseguir una solución y tenerla lista para producción. La iniciativa está descrita como un desarrollo en curso; no está confirmado que las máscaras puedan utilizarse en los escáneres actuales o previstos sin cambios relevantes. Tampoco está establecido que ese formato vaya a convertirse en el estándar de la industria.
Por ahora, la máscara de 6×12 pulgadas es una apuesta de ingeniería. Puede ser la pieza que haga más cómoda la adopción de High-NA para determinados diseños, pero aún no es una capacidad desplegada.
Intel y TSMC avanzan con relojes distintos
Intel está acumulando una experiencia de utilización de High-NA que, según lo comunicado, ya supera el millón de obleas de 300 mm. TSMC, en cambio, aparece asociado a un objetivo reportado de adopción de High-NA alrededor de 2030 para fabricación de alto volumen en nodos avanzados. Ese calendario es un plan futuro y puede cambiar; no describe una adopción ya completada.
La diferencia no es simplemente quién llega antes. High-NA exige valorar el coste de las herramientas, su madurez y la cantidad de escáneres necesarios para una fábrica avanzada. También hay que decidir cómo encajar el stitching, qué diseños justifican la tecnología y qué impacto tiene todo ello en la productividad de la planta.
| Empresa | Situación descrita | Calendario | Principal compromiso |
| Intel | Acumula una utilización reportada de High-NA superior al millón de obleas y trabaja en una máscara de 6×12 pulgadas | Actividad reportada hasta septiembre de 2026 | Resolver el campo reducido, el stitching y la transición de la experiencia acumulada a una fabricación competitiva |
| TSMC | Mantiene una estrategia más cauta ante la madurez y el coste de la herramienta | Objetivo reportado alrededor de 2030 para fabricación avanzada de alto volumen | Esperar a que la economía de la fábrica y la madurez del equipo justifiquen la adopción |
La tabla no corona a un ganador tecnológico. Compara dos decisiones de calendario y sus compromisos conocidos. Una mayor utilización de una herramienta no demuestra por sí sola mejores obleas, menores costes o una densidad superior.
Lo que demuestra el hito —y lo que no
El millón de obleas sí respalda una ventaja reportada de utilización y aprendizaje de proceso para Intel en High-NA. Cuanto más se usa una plataforma, más oportunidades existen de ajustar sus pasos, entender sus límites y preparar la integración en una fábrica. Esa experiencia puede ser relevante para una fundición.
Lo que no demuestra es que Intel tenga mejores rendimientos, costes por oblea, consumo, densidad, volumen de clientes o capacidad general de proceso que TSMC o Samsung. Tampoco demuestra por sí solo una ventaja tecnológica global de dos o cuatro años. Una comparación así requiere métricas equivalentes de varias empresas y en condiciones comparables.
La misma cautela vale para la producción concreta de productos. El total combina instalación, certificación, I+D y producción, de modo que no puede leerse como una cuenta detallada de obleas comerciales. El número es grande y relevante, pero su significado está en la experiencia acumulada, no en una medalla automática de liderazgo.
La conclusión útil para entender High-NA
Intel ha conseguido una ventaja de recorrido en el uso de High-NA EUV, al menos según el hito reportado. El siguiente desafío no es sumar una cifra redonda, sino convertir esa experiencia en procesos competitivos y resolver el problema físico del campo de exposición.
Ahí está la verdadera batalla: las máscaras actuales de 6×6 pulgadas pueden obligar a unir dos exposiciones para los chips grandes, con una penalización de rendimiento reportada. La máscara de 6×12 pulgadas pretende evitarlo, pero todavía es una dirección de desarrollo, no una solución industrial confirmada. Hasta que esa pieza encaje, el millón de obleas será una señal potente de aprendizaje; no el veredicto final sobre quién domina la fabricación de chips avanzados.
