Il 20 ottobre 2026 BusinessKorea ha riferito che Micron Technology aveva presentato a SEDEX 2026, a Seul, la direzione di sviluppo di Edge Inference Memory (EIM). Nella stessa notizia, ChangXin Memory Technologies (CXMT) ha comunicato progressi sulla DRAM e un piano per prodotti server di nuova generazione; la fiera si era svolta la settimana precedente.
EIM e PIM collocano il calcolo in punti diversi
La descrizione di EIM colloca memoria LPDDR a basso consumo sopra un die logico che svolge i calcoli per l’intelligenza artificiale. L’obiettivo dichiarato è ridurre la latenza tra memoria e chip AI e aumentare la larghezza di banda.
La differenza rispetto al processing-in-memory (PIM) riguarda la disposizione: nel PIM le unità di calcolo sono integrate nella memoria, mentre nella descrizione di EIM la LPDDR è sopra il die logico.
Secondo BusinessKorea, la seconda metà del 2028 è un’aspettativa del settore per l’avvio della produzione di massa di EIM.
CXMT riferisce progressi DRAM e un piano per i server
BusinessKorea ha riferito che CXMT dichiarò di aver introdotto il self-aligned quadruple patterning (SAQP), una tecnica di patterning autoallineato, e di aver compiuto progressi sull’architettura DRAM 4F². Secondo lo stesso resoconto, l’azienda annunciò la produzione di massa di LPDDR6 nell’agosto 2026 e avviò la produzione di massa sul proprio processo DRAM di quinta generazione nel settembre 2026.
CXMT pianificava di introdurre prodotti server di nuova generazione entro la fine del 2026. Il traguardo riportato riguarda la presentazione dei prodotti; le tappe di produzione di LPDDR6 e del processo di quinta generazione sono distinte da quel piano.
Samsung e lo sviluppo DRAM 4F²
Il 15 ottobre 2026 DIGITIMES riferì che Samsung Electronics aveva completato lo sviluppo della DRAM 4F² e stava allineando la commercializzazione alle esigenze dei clienti. È una fase di sviluppo riportata separatamente dalle tappe attribuite a CXMT e dal piano server dell’azienda cinese.
