Donghui Lu, przewodniczący Micron Memory Taiwan Co, opisał rozbudowę produkcji Micronu w czterech lokalizacjach na Tajwanie. Projekt związany z HBM — pamięcią o wysokiej przepustowości — to drugi zakład zaawansowanego pakowania w Taichung. Pozostałe prace obejmują produkcję DRAM, rozbudowę front-endu i testowanie wafli.
Cztery lokalizacje, cztery różne zadania
Micron prowadzi projekty w Taichung, Taoyuan, Tongluo i Tainan. DRAM to dynamiczna pamięć o dostępie swobodnym; w Taoyuan ma powstać jej zaawansowana fabryka. Każda lokalizacja ma odrębny zakres prac.
| Lokalizacja | Projekt | Zakres prac |
| Taichung, Houli Science Park | Drugi zakład zaawansowanego pakowania | HBM |
| Taoyuan, Fab 11E | Zaawansowana fabryka DRAM | Litografia w skrajnym ultrafiolecie (EUV) |
| Tongluo, powiat Miaoli | Rozbudowa zakładu P5 i budowa drugiego obiektu | Produkcja front-endowa |
| Tainan | Przekształcenie dawnego zakładu paneli wyświetlaczy w obiekt półprzewodnikowy | Głównie testowanie wafli |
Micron przejął zakład P5 w Tongluo od Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) wcześniej w 2026 r. Przy rozbudowie przeniesiono już ponad 100 urządzeń, a drugi obiekt jest w budowie. W Tainan sprzęt zaczęto przewozić na teren zakładu na początku września 2026 r.
Przewidywane terminy kolejnych etapów
Micron planuje rozpocząć pierwszy etap produkcji w Tongluo w drugiej połowie 2027 r. Fab 11E w Taoyuan ma rozpocząć działalność pod koniec 2027 r. lub na początku 2028 r.
Inwestycje i perspektywy podaży pamięci
Według Donghui Lu skumulowane inwestycje Micronu na Tajwanie sięgnęły 1,6 bln NT$ (50,2 mld USD) na czerwiec 2026 r. Micron odnotował też rekordowe przychody za IV kwartał roku fiskalnego 2026; opisaliśmy je w relacji z wyników spółki.
Podczas rozmowy wynikowej 30 września 2026 r. Micron ocenił, że ograniczenia podaży pamięci będą dotkliwsze w 2027 i 2028 r. niż w 2026 r.
