Ein am 7. November veröffentlichter Bericht von Sammy Fans gab die Erklärung eines TSMC-Sprechers wieder, das Unternehmen konzentriere sich auf Foundry-Dienste und Logikchips. Zur konkret gemeldeten Prüfung einer 3D-DRAM-Fertigung äußerte sich der Sprecher nicht ausdrücklich.
Eine berichtete Prüfung ist noch keine verfügbare Speicherkapazität.
Was über TSMCs mögliche DRAM-Pläne berichtet wurde
The Information berichtete am 6. November unter Berufung auf zwei Personen mit direkter Kenntnis, TSMC erwäge die Fertigung fortgeschrittener Speicher, darunter 3D DRAM. Die Initiative gehe auf eine Anfrage von NVIDIA zurück. Damit beschrieb der Bericht eine erwogene Ausweitung, keine Produktionszusage.
Als mögliche Wege nannte Fanáticos del Hardware den Bau eigener Anlagen oder den Kauf und Umbau eines bestehenden Halbleiterwerks. Eine Entscheidung für einen dieser Wege war nicht Teil der Meldung.
3D DRAM und HBM stapeln unterschiedliche Strukturen
Die technische Einordnung von Fanáticos del Hardware beschreibt 3D DRAM als vertikale Anordnung von Speicherzellen. HBM stapelt dagegen separate DRAM-Chips. Die Begriffe bezeichnen also unterschiedliche Bauweisen.
Eine Prüfung bringt nicht sofort mehr Speicher
Selbst wenn TSMC eine Fertigung beschlösse, würde daraus nicht unmittelbar zusätzliche Speicherkapazität. Dafür wären Produktionsanlagen, Spezialausrüstung und anschließende Validierung nötig; diese Schritte brauchen Zeit.
