W relacji opublikowanej 7 listopada przytoczono wypowiedź rzecznika TSMC, który przypomniał, że firma koncentruje się na usługach foundry i układach logicznych. Nie odniósł się wprost do doniesień o możliwej produkcji DRAM 3D na prośbę NVIDIA.
Co podano o planach TSMC
Dzień wcześniej The Information podał, powołując się na dwie osoby zaznajomione ze sprawą, że TSMC rozważało wejście w produkcję zaawansowanych pamięci, w tym DRAM 3D. Impuls do analizy miała stanowić prośba NVIDIA. Doniesienie opisywało rozważany kierunek, a nie ogłoszenie produkcji.
W relacji Sammy Fans z 7 listopada, przytaczającej wypowiedź rzecznika TSMC za Tom’s Hardware, firma podtrzymała deklarację koncentracji na usługach foundry i układach logicznych. Było to ogólne stanowisko o profilu działalności TSMC, a nie bezpośrednia odpowiedź na szczegóły inicjatywy pamięciowej.
W tej historii warto oddzielić relacjonowane rozważanie nowej produkcji od publicznego przypomnienia o głównym obszarze działalności TSMC.
DRAM 3D i HBM: różne sposoby układania pamięci
W opisie technicznym przywołanym przez Fanáticos del Hardware DRAM 3D oznacza pionowe rozmieszczenie komórek pamięci. HBM, czyli pamięć o wysokiej przepustowości, powstaje przez układanie osobnych kości DRAM. To rozróżnienie opisuje architektury pamięci, nie ujawnia projektu TSMC.
Od rozważania do podaży prowadzi proces produkcyjny
Według relacji Fanáticos del Hardware możliwe drogi obejmowały budowę nowego zakładu albo zakup i przystosowanie istniejącej fabryki półprzewodników. Były to przedstawione warianty, nie wybrana lokalizacja ani ogłoszona inwestycja.
Każda dodatkowa produkcja wymagałaby zakładów, specjalistycznego wyposażenia i walidacji procesu. Samo rozważanie nowej technologii nie oznacza więc, że pamięci trafią na rynek od razu.
