El 7 de noviembre de 2026, un portavoz de TSMC reiteró que la compañía se centraba en los servicios de fundición de semiconductores y los circuitos integrados lógicos. La declaración, recogida por Sammy Fans y atribuida a Tom’s Hardware, no abordó específicamente la posible iniciativa de DRAM 3D.

Qué se reportó sobre la evaluación de TSMC

El día anterior, The Information informó, citando a dos personas con conocimiento directo, de que TSMC estaba valorando ampliar su actividad a la fabricación de memoria avanzada, incluida la DRAM 3D, a petición de NVIDIA. El reporte describía una evaluación industrial.

DRAM 3D y HBM apilan elementos distintos

En la descripción general de la arquitectura, la DRAM 3D dispone las celdas de almacenamiento en capas verticales. HBM, en cambio, apila chips DRAM ya fabricados. La diferencia está en qué se apila: las celdas de memoria o los chips que las contienen.

Una evaluación industrial solo podría convertirse en nueva oferta de memoria después de contar con instalaciones, equipos especializados y validación.

Qué implicaría para la oferta de memoria

Valorar una nueva vía de fabricación no añade memoria disponible de inmediato. Antes de producir, harían falta instalaciones, equipos especializados y validación, etapas que condicionan cuándo podría sumarse capacidad.