Según informó DRAMX, ChangXin Memory Technologies (CXMT) presentó avances de investigación en DRAM 4F² el 10 de octubre de 2026, en Shanghái, y se marcó como objetivo introducir antes de final de año un RDIMM DDR5 para servidores. La propuesta combinaría esa arquitectura de celda con Hybrid Bonding. El cambio de diseño apunta a una mayor densidad, pero el producto descrito sigue siendo un plan. (DRAMX)
Qué cambia entre 6F² y 4F²
En DRAM, F representa la dimensión mínima de característica del proceso. La comparación entre 6F² y 4F² se refiere a la superficie de la celda de memoria: si F se mantiene igual, pasar de 6F² a 4F² supondría, en teoría, reducir esa superficie alrededor de un tercio. TradingKey describe esa ventaja como una estimación arquitectónica, no como un aumento medido de la capacidad del módulo o una reducción comprobada de costes. (TradingKey)
| Diseño de celda DRAM | Superficie de celda |
| Referencia convencional | 6F² |
| Arquitectura de CXMT | 4F² |
TradingKey también describe transistores de compuerta envolvente vertical (VSG) en el diseño de CXMT. Según esa cobertura, la arquitectura busca reducir las fugas y los efectos de canal corto, además de ocupar menos superficie planar. Son objetivos del diseño; la comparación de superficie por sí sola no determina el rendimiento de fabricación ni el coste por bit.
Qué exige un RDIMM para servidores
DRAMX informó de que el RDIMM DDR5 previsto combinaría las celdas 4F² con Hybrid Bonding. Un RDIMM es un módulo DIMM registrado, una clase de memoria utilizada en servidores. La descripción de DRAMX señala que estos módulos deben funcionar de forma continua, 24 horas al día y 7 días a la semana, y pasar cientos de pruebas de compatibilidad con procesadores y placas base. La densidad de la celda es solo una parte del trabajo necesario para que la memoria encaje en sistemas de servidor.
DRAMX sitúa antecedentes de la investigación de CXMT en 2021, cuando la compañía habría publicado un artículo académico sobre la arquitectura 4F², y en divulgaciones posteriores de resultados en 2023 y 2025. La presentación del 10 de octubre de 2026 se suma a esa cronología. (DRAMX)
El plan se refiere a memoria DDR5 para servidores, no a HBM, una categoría distinta que abordamos en nuestro artículo sobre la presión de la HBM en los aceleradores chinos de IA. TradingKey señaló el 12 de octubre que la fabricación estable y a gran escala y la cualificación de clientes seguían siendo retos para el proyecto.
Ese mismo día, TradingKey informó de caídas en las acciones de Micron Technology (4,70 %) y SK Hynix (4,20 %), además de un descenso del 4,61 % en el ETF Roundhill Memory. La cobertura situó esos movimientos en el contexto de la preocupación por los avances de CXMT. (TradingKey)
