Il 10 ottobre 2026, a Shanghai, ChangXin Memory Technologies (CXMT) ha presentato progressi di ricerca sulla DRAM 4F² e un piano per introdurre entro fine anno un RDIMM DDR5 di nuova generazione per server, secondo DRAMX e TradingKey. Il confronto con il layout convenzionale 6F² riguarda la superficie della singola cella: il risultato industriale dipende anche dalla resa produttiva e dalla qualificazione del modulo.
Che cosa cambia fra 6F² e 4F²?
TradingKey descrive la proposta come un passaggio dal layout convenzionale 6F² a una cella 4F² e stima una riduzione teorica della superficie di circa un terzo. Lo stesso resoconto attribuisce a Jing Jie Yu, analista di Morningstar, una stima di circa il 30%. Sono confronti riferiti alla geometria della cella, non misurazioni della capacità o dei costi di un modulo finito.
| Layout della cella DRAM | Riferimento | Superficie della cella |
| 6F² | Layout convenzionale | 6F² |
| 4F² | Progresso di ricerca riferito per CXMT | Circa un terzo in meno rispetto a 6F², in teoria |
F indica la dimensione minima di una caratteristica del processo; il quadrato esprime la superficie del layout della cella in funzione di quel parametro. TradingKey descrive inoltre transistor verticali con gate avvolgente (VSG), una struttura pensata per ridurre le perdite e gli effetti di canale corto, limitando al contempo l’ingombro planare del transistor.
Il piano di CXMT riguarda un RDIMM DDR5 per server
DRAMX riferisce che il modulo previsto abbina la DRAM 4F² all’Hybrid Bonding. RDIMM indica un modulo DIMM con registro, una memoria destinata ai sistemi server. Per questa categoria, DRAMX descrive requisiti di funzionamento continuo 24 ore su 24 e centinaia di test di compatibilità con CPU e schede madri.
La maggiore densità potenziale della cella è soltanto una parte del lavoro: per l’economia del prodotto contano anche resa produttiva, costi del processo e qualificazione dei clienti. CXMT ha indicato come obiettivo l’introduzione del nuovo DDR5 RDIMM entro la fine del 2026; la data precisa dipenderà dal piano annunciato.
Una ricerca avviata da anni
Secondo DRAMX, CXMT pubblicò nel 2021 un lavoro accademico nazionale sull’architettura 4F² e comunicò ulteriori risultati di ricerca nel 2023 e nel 2025. La presentazione del 10 ottobre 2026 si inserisce quindi in una ricerca pluriennale, ora collegata a un progetto di memoria server.
Il modulo descritto è un DDR5 RDIMM: HBM appartiene a un segmento distinto della memoria. Per il contesto sul nodo HBM nei chip per l’intelligenza artificiale, NeoTeo ha già seguito i prezzi indicati in salita dei chip IA cinesi.
Il 12 ottobre TradingKey ha riportato cali del 4,70% per Micron Technology e del 4,20% per SK Hynix. I dati si riferiscono ai movimenti azionari riportati quel giorno.
