CXMT anunció el 20 de septiembre de 2026 que su plataforma de quinta generación G5 para memorias DRAM había entrado en producción masiva. La compañía presentó dos productos LPDDR5X de 24 gigabits cada uno y comunicó mejoras de densidad, eficiencia energética, control de costes y aprovechamiento de las obleas.
El anuncio sitúa a CXMT, fabricante chino de memorias DRAM, en una fase más avanzada de su hoja de ruta para competir en un mercado dominado por Samsung Electronics, SK hynix y Micron Technology. La compañía describió su capacidad de proceso como comparable a la de los nodos de memoria más avanzados fabricados en masa.
Dos productos LPDDR5X de 24 gigabits
Los productos presentados utilizan LPDDR5X, un tipo de DRAM de bajo consumo destinado a smartphones y otros dispositivos portátiles. CXMT mostró dos productos basados en G5, ambos con una capacidad de 24 gigabits, y señaló que se ofrecen en dos formatos de encapsulado para distintos diseños de dispositivos.
En términos prácticos, el encapsulado es la carcasa que conecta el chip de memoria con el resto del dispositivo. Sus dimensiones y disposición permiten adaptar el componente a diferentes diseños de teléfonos y equipos portátiles.
La cifra de 24 gigabits corresponde a cada uno de los dos productos mostrados. No describe toda la gama LPDDR5X de CXMT.
Qué significan los 11,95 nanómetros y el patrón cuádruple
CXMT comunicó que la plataforma G5 alcanza un umbral de 11,95 nanómetros en las estructuras relevantes de las celdas de almacenamiento. Esta medida se refiere a esas estructuras concretas del proceso, no a una equivalencia universal con cualquier nodo de fabricación empleado por otros fabricantes.
El proceso también utiliza patrón cuádruple, una técnica que aparece descrita en la información del anuncio como exposición cuádruple. El método permite definir estructuras muy pequeñas mediante varias etapas de patrón sobre la oblea.
Luo Xiaodong, vicepresidente y responsable del centro de marketing de CXMT, describió la capacidad de proceso de la compañía como equiparable a la de los nodos más avanzados de memoria producidos en masa. La comparación de CXMT se refiere a su capacidad de proceso; las cifras concretas comunicadas para G5 son las de sus productos y su plataforma.
El 50 % de matrices por oblea es un recuento bruto
CXMT afirmó que G5 permite obtener al menos un 50 % más de matrices brutas por oblea que su plataforma de cuarta generación. La comparación utiliza como referencia un chip de 8 gigabits.
Una matriz es una unidad individual que se corta de la oblea para convertirse en un chip. En este caso, el porcentaje describe el número potencial de matrices antes de retirar las unidades defectuosas. El rendimiento final se calcula después, a partir de los chips que superan las pruebas.
| Aspecto | Dato comunicado sobre CXMT G5 |
| Plataforma | Quinta generación de DRAM, denominada G5 |
| Productos presentados | Dos productos LPDDR5X |
| Capacidad | 24 gigabits por producto |
| Encapsulados | Dos formatos para distintos diseños de smartphones y dispositivos portátiles |
| Umbral de las estructuras de almacenamiento | 11,95 nanómetros |
| Técnica de fabricación | Patrón cuádruple, también descrito como exposición cuádruple |
| Matrices brutas por oblea | Al menos un 50 % más que G4, con un chip de 8 gigabits como referencia |
Un paso más en la estrategia de memoria de CXMT
La presentación de G5 llega después de que CXMT comunicara avances en una generación anterior de productos LPDDR5X. La empresa indicó que sus versiones de 8.533 Mbps y 9.600 Mbps habían entrado en producción masiva en mayo de 2025. En octubre de 2025, la variante de 10.667 Mbps estaba disponible para el muestreo con clientes.
Esos datos pertenecen a una cartera anterior y no deben mezclarse con los dos productos G5 de 24 gigabits presentados en septiembre de 2026. La nueva plataforma representa una etapa posterior dentro de la evolución de las memorias LPDDR5X de CXMT.
La compañía vincula G5 con mejoras de densidad, eficiencia energética, costes y aprovechamiento de la oblea. Samsung Electronics, SK hynix y Micron Technology siguen siendo las referencias competitivas que rodean esta carrera tecnológica, pero las cifras comunicadas en el anuncio se concentran en la comparación interna entre G5 y G4 y en las características de los productos presentados.
La producción masiva anunciada el 20 de septiembre de 2026 convierte a G5 en la plataforma con la que CXMT pretende ampliar su presencia en la DRAM para dispositivos móviles y portátiles.
