A ChangXin Memory Technologies (CXMT) apresentou avanços em DRAM 4F² em 10 de outubro de 2026, segundo a DRAMX, e planeja introduzir um DDR5 RDIMM para servidores até o fim do ano. A proposta combina a arquitetura de célula 4F² com Hybrid Bonding, também segundo a publicação. É um avanço de pesquisa associado a uma meta de produto.
O módulo para servidores planejado pela CXMT
O produto previsto é um RDIMM DDR5, tipo de módulo de memória registrada usado em servidores. A DRAMX relata que a apresentação não detalhou as especificações do módulo nem indicou uma data exata para sua introdução; a meta reportada é o fim de 2026.
A sigla RDIMM descreve um módulo com registro entre a memória e o controlador, uma configuração voltada à operação em servidores. A DRAMX descreve os requisitos da categoria: funcionamento contínuo 24 horas por dia, sete dias por semana, e centenas de testes de compatibilidade com CPUs e placas-mãe. Esses requisitos mostram por que uma arquitetura de célula é apenas uma parte do trabalho. O rendimento de fabricação, a estabilidade em operação e a compatibilidade também pesam na viabilidade comercial.
O que muda entre 6F² e 4F²
A comparação trata do layout da célula DRAM. F representa a dimensão mínima característica do processo; assim, 6F² e 4F² expressam áreas relativas da célula, não uma medida em nanômetros. A TradingKey compara o arranjo convencional de 6F² com a arquitetura 4F² reportada pela CXMT e estima uma redução teórica de cerca de um terço na área da célula. A publicação também atribui à analista Jing Jie Yu, da Morningstar, uma estimativa próxima de 30%.
| Arquitetura | Área do layout | Significado da comparação |
| DRAM convencional | 6F² | Referência usada na comparação |
| Arquitetura 4F² reportada pela CXMT | 4F² | Área teórica da célula cerca de um terço menor que a referência de 6F² |
Uma célula menor pode permitir acomodar mais células em uma área de wafer, mas isso, por si só, não determina a capacidade de um módulo acabado, o rendimento da fabricação ou o custo por bit. A TradingKey também descreve o uso de transistores VSG, sigla para transistores verticais de porta envolvente, cujo desenho busca reduzir a área planar do transistor, o vazamento de corrente e os efeitos de canal curto.
Pesquisa de vários anos, com exigências de servidor pela frente
A DRAMX relata que a CXMT publicou um artigo acadêmico sobre a arquitetura 4F² em 2021 e divulgou resultados de pesquisa em 2023 e 2025. A apresentação de 10 de outubro de 2026 acrescentou um novo avanço reportado e a meta de um RDIMM DDR5 para servidores. Essa cronologia situa o trabalho técnico; a competitividade do módulo dependerá também do rendimento fabril, dos custos do processo, da qualificação por clientes e do volume de fornecimento.
O plano é para DDR5 RDIMM, enquanto HBM pertence a outro segmento de memória. A TradingKey distingue a possível concorrência em DDR5 de qualquer efeito direto sobre HBM. A NeoTeo já abordou a pressão sobre a HBM em aceleradores chineses de IA; a proposta da CXMT descrita aqui é voltada à memória DDR5 para servidores.
No mesmo 12 de outubro, a TradingKey reportou quedas de 4,70% nas ações da Micron Technology e de 4,20% nas da SK Hynix, além de recuos em outros papéis ligados a memória. A cobertura associou o movimento à preocupação dos investidores com o avanço reportado pela CXMT.
