El 18 de octubre de 2026, Seoul Economic Daily informó de que Samsung Electronics habría aceptado la petición de NVIDIA de fabricar con el proceso de 3 nm de TSMC el dado base del NVHBM, la memoria personalizada de alto ancho de banda de NVIDIA. El diario también señaló que la solicitud nombraba a Samsung, SK hynix y Micron Technology, y planteaba usar DRAM de sexta generación, conocida como 1c, para el dado central. La aceptación que el periódico atribuye expresamente es la de Samsung. Seoul Economic Daily

Qué cambia NVHBM frente a HBM4E

En la arquitectura de NVHBM descrita por NVIDIA, el controlador de memoria personalizado se integra en el dado base de la HBM, en vez de situarse en el dado de cómputo del XPU. NVIDIA afirma que, frente a la HBM4E estándar, esta disposición ofrece hasta un 30 % más de ancho de banda de memoria, un 15 % menos de consumo energético de HBM y hasta un 25 % más de superficie disponible en el dado de cómputo del XPU. Son comparaciones declaradas por la compañía. NVIDIA

La diferencia entre los dos dados ayuda a entender el alcance de la noticia: la solicitud descrita por Seoul Economic Daily se refiere al proceso de fabricación del dado base; el dado central contendría la DRAM 1c, según el mismo informe. El diario presenta NVHBM como una estructura basada en HBM4E.

NVIDIA sostiene que una implementación común de NVHBM para varios proveedores de memoria puede reducir el trabajo de integración y calificación. La compañía identifica a Annapurna Labs, de Amazon, como la primera organización que trabaja en NVHBM dentro de su colaboración en NVLink Fusion.

El alcance del proceso de TSMC en Samsung

El proceso de 3 nm de TSMC se vincula en el informe con el dado base del NVHBM para NVIDIA, no con toda la producción HBM de Samsung. Seoul Economic Daily indicó que Samsung mantendría su modelo de fabricación integral para la HBM estándar y para productos HBM personalizados destinados a otros clientes, como AMD. También informó de que Samsung evaluaba recurrir a su propia fundición para fabricar el dado base del NVHBM si la capacidad de TSMC resultaba insuficiente.