Samsung avrebbe accettato la richiesta di NVIDIA per i base die NVHBM a 3 nm

Il 18 ottobre 2026 Seoul Economic Daily ha riferito che Samsung Electronics avrebbe accettato la richiesta di NVIDIA di usare il processo a 3 nm di TSMC per i base die della memoria personalizzata NVHBM. Il resoconto riguarda questo componente specifico: la stessa richiesta avrebbe coinvolto anche SK hynix e Micron Technology, ma l’accettazione attribuita in modo specifico è quella di Samsung. Seoul Economic Daily

La richiesta riportata riguarda base die e core die

Secondo Seoul Economic Daily, il base die di NVHBM sarebbe prodotto con il processo TSMC a 3 nm, mentre il core die impiegherebbe DRAM di sesta generazione, indicata come 1c. Il base die è lo strato alla base dello stack di memoria; il core die ospita invece le celle di memoria. La distinzione chiarisce quale parte del progetto sarebbe coinvolta nella richiesta riportata.

Il quotidiano riferisce inoltre che Samsung stava valutando la propria fonderia come alternativa nel caso in cui la capacità di TSMC fosse insufficiente. Per la HBM standard e per i prodotti personalizzati destinati ad altri clienti, tra cui AMD, Samsung manterrebbe invece il proprio modello integrato di produzione.

Che cosa cambia NVHBM secondo NVIDIA

NVIDIA descrive NVHBM come una memoria HBM personalizzata in cui il controller di memoria proprietario è integrato nel base die, invece che nel die XPU, il chip che esegue i calcoli. Rispetto alla HBM4E standard, l’azienda dichiara fino al 30% di larghezza di banda in più, il 15% in meno di consumo energetico della HBM e fino al 25% di area aggiuntiva sul compute die XPU. Sono confronti dichiarati da NVIDIA. NVIDIA

NVIDIA afferma anche che un’implementazione standardizzata per più fornitori di memoria può ridurre il lavoro necessario per integrare e qualificare la memoria. L’azienda indica Annapurna Labs di Amazon come la prima organizzazione al lavoro su NVHBM.

Il caso NVHBM resta distinto dall’HBM standard di Samsung

Nel resoconto del 18 ottobre, Seoul Economic Daily riferiva che i base die delle HBM4 e HBM4E standard di Samsung usavano il processo a 4 nm della fonderia Samsung e che i core die impiegavano DRAM 1c. A quella data, HBM4 era in produzione di massa, mentre HBM4E era sottoposta alla convalida per la produzione di massa. Questi prodotti seguono quindi un percorso distinto da quello attribuito alla NVHBM personalizzata per NVIDIA.