Seoul Economic Daily meldde op 18 oktober 2026 dat Samsung had ingestemd met een verzoek van NVIDIA om TSMC’s 3nm-proces te gebruiken voor de base-die van NVIDIA’s aangepaste HBM-geheugen, NVHBM. Het gaat om een gemelde productiekeuze voor dit specifieke geheugentype. Seoul Economic Daily schrijft dat Samsung, SK hynix en Micron het verzoek kregen; alleen Samsungs instemming wordt in het bericht genoemd.
Het verzoek gaat over twee verschillende chiplagen
Volgens Seoul Economic Daily zou de base-die van NVHBM met TSMC’s 3nm-proces worden gemaakt. Voor de core-die noemt het bericht DRAM van de zesde generatie, aangeduid als 1c. De base-die is de basislaag van de HBM-chip; de core-die bevat de geheugenkernen. Het bericht beschrijft NVHBM als gebaseerd op HBM4E.
Wat NVIDIA zegt dat NVHBM verandert
NVIDIA beschrijft NVHBM als een ontwerp waarin de eigen geheugencontroller in de HBM-base-die zit, in plaats van in de XPU-die. De XPU is de processor die de berekeningen uitvoert; de compute-die is het deel daarvan met de rekeneenheden. Vergeleken met standaard HBM4E noemt NVIDIA tot 30% meer geheugenbandbreedte, 15% minder vermogen voor HBM en tot 25% meer oppervlak op de XPU-compute-die. Dat zijn claims van NVIDIA. Het bedrijf zegt ook dat een standaarduitvoering voor meerdere geheugenleveranciers het integratie- en kwalificatiewerk kan verminderen. Amazon-dochter Annapurna Labs is volgens NVIDIA de eerste organisatie die aan NVHBM werkt.
De gemelde afspraak is beperkt tot NVIDIA-NVHBM
Hetzelfde bericht van Seoul Economic Daily zegt dat Samsung zijn turnkeyaanpak voor standaard HBM en aangepast HBM voor andere klanten zou behouden. Voor Samsung’s reguliere HBM4- en HBM4E-productie noemt de krant een andere combinatie: base-dies op Samsungs eigen 4nm-proces en core-dies met 1c-DRAM. Ook zou Samsung onderzoeken of zijn eigen foundry de NVHBM-base-dies kan maken als TSMC onvoldoende capaciteit heeft.
