18 października 2026 r. Seoul Economic Daily poinformował, że Samsung miał zaakceptować prośbę NVIDIA o wykorzystanie procesu TSMC 3 nm do produkcji kości bazowej niestandardowej pamięci NVHBM. To doniesienie dotyczy konkretnego elementu pamięci dla NVIDIA; gazeta opisała osobno także specyfikację kości rdzeniowej.
Według Seoul Economic Daily o wspólny proces dla kości bazowej poproszono Samsung, SK hynix i Micron. W relacji gazety to Samsung miał przyjąć tę propozycję. Rdzeń pamięci miałby korzystać z DRAM szóstej generacji, określanej jako 1c.
Co NVIDIA opisuje w architekturze NVHBM
HBM to pamięć o wysokiej przepustowości, a NVHBM jest jej niestandardową odmianą opracowywaną przez NVIDIA. W oficjalnym opisie NVHBM firma podaje, że jej niestandardowy kontroler pamięci znajduje się w kości bazowej HBM, a nie w układzie obliczeniowym XPU.
W porównaniu ze standardowym HBM4E NVIDIA deklaruje do 30% większą przepustowość pamięci, o 15% niższe zużycie energii przez HBM i do 25% więcej powierzchni na układzie obliczeniowym XPU. To porównania podawane przez firmę. NVIDIA twierdzi też, że wspólna implementacja dla wielu dostawców pamięci ogranicza prace związane z integracją i kwalifikacją. Jako pierwszą organizację pracującą nad NVHBM wskazuje Annapurna Labs z Amazon.
Zakres doniesienia o produkcji
Seoul Economic Daily opisał wykorzystanie procesu TSMC 3 nm jako rozwiązanie dotyczące kości bazowej NVHBM dla NVIDIA. Według tej samej relacji Samsung zachowałby zintegrowany model produkcji standardowego HBM oraz niestandardowych pamięci dla innych klientów. Gazeta podała, że standardowe HBM4 i HBM4E Samsunga korzystały z kości bazowych w procesie Samsung Foundry 4 nm i rdzeni DRAM 1c. W dniu publikacji artykułu HBM4 było w produkcji masowej, a HBM4E przechodziło walidację przed jej rozpoczęciem.
Gazeta podała również, że Samsung sprawdzał możliwość wykorzystania własnej odlewni do produkcji kości bazowych NVHBM, gdyby TSMC nie dysponowało wystarczającymi mocami.
