A Seoul Economic Daily informa, em reportagem de 18 de outubro de 2026, que a Samsung Electronics teria aceitado um pedido da NVIDIA para usar o processo de 3 nm da TSMC nos base dies da NVHBM, memória HBM personalizada da NVIDIA. A notícia trata de um componente específico dessa memória, não da produção de HBM da Samsung como um todo. Leia a reportagem da Seoul Economic Daily.
Segundo o jornal, a NVIDIA pediu que Samsung, SK hynix e Micron Technology adotassem um base die comum para a NVHBM. O processo de 3 nm da TSMC seria usado nessa matriz de base; para o core die, formado pelas matrizes de DRAM empilhadas, a especificação noticiada é a DRAM de sexta geração, chamada 1c. A aceitação atribuída à Samsung é a que a reportagem destaca.
O que a NVIDIA diz que muda na NVHBM
Na descrição oficial da NVIDIA, a NVHBM integra seu controlador de memória personalizado ao base die HBM, em vez de deixá-lo no die de computação do XPU. A empresa afirma que, em comparação com a HBM4E padrão, a NVHBM oferece até 30% mais largura de banda de memória, consome 15% menos energia na HBM e libera até 25% mais área no compute die do XPU. São comparações declaradas pela NVIDIA. Veja a descrição da NVHBM publicada pela NVIDIA.
A padronização também tem uma função prática: a NVIDIA diz que uma implementação comum entre diferentes fornecedores de memória reduz o trabalho de integração e qualificação. A empresa identifica a Annapurna Labs, da Amazon, como a primeira organização a trabalhar com NVHBM.
O escopo do arranjo noticiado
A reportagem da Seoul Economic Daily distingue a NVHBM para a NVIDIA da produção de HBM padrão da Samsung. Segundo o jornal, a Samsung manteria seu modelo integrado para HBM padrão e para produtos HBM personalizados destinados a outros clientes, como a AMD. A reportagem também diz que a Samsung avaliava recorrer à própria fundição para os base dies da NVHBM caso a capacidade da TSMC fosse insuficiente.
