Le 8 octobre 2026, les conclusions d’une étude évaluée par les pairs menée par des ingénieurs d’ASML et de Carl Zeiss ont fait état d’une Hyper-NA qui pourrait être prête dans une dizaine d’années. Cette lithographie envisagée comme successeure de High-NA EUV pourrait imprimer des motifs de circuit aussi petits que 5 nm. ASML aurait commencé son développement, sans s’engager à fabriquer la machine.
Hyper-NA, possible successeure de High-NA
High-NA EUV est la génération qui précède Hyper-NA dans cette feuille de route. La NA, ou ouverture numérique, caractérise le pouvoir de résolution d’un système optique : une ouverture plus élevée aide à distinguer des détails plus fins. Pour en savoir plus sur cette génération, retrouvez notre article sur l’utilisation du High-NA par Intel sur certaines couches de Panther Lake.
L’échéance évoquée pour Hyper-NA est un horizon de développement possible, pas une date de livraison annoncée. Les ingénieurs lui attribuent une capacité potentielle à imprimer des motifs jusqu’à 5 nm, soit plus d’un tiers plus petits que ceux que peut imprimer le High-NA actuel.
Des motifs de 5 nm en perspective
Le chiffre de 5 nm décrit une possibilité attribuée à la conception proposée, et non un résultat de fabrication. Il donne une idée du niveau de détail visé par Hyper-NA : des motifs plus fins que ceux associés au système High-NA actuel.
Des éléments pourraient être réutilisés
L’étude attribue aux ingénieurs de Carl Zeiss des miroirs déjà assez précis pour Hyper-NA. Elle avance également que la source lumineuse actuelle d’ASML pourrait être réutilisée. La conception envisagée serait à peine plus encombrante que les systèmes High-NA.
En lithographie EUV, la lumière sert à projeter un motif de circuit sur une couche photosensible déposée sur une tranche de silicium. Les systèmes EUV d’ASML utilisent une lumière de longueur d’onde de 13,5 nm et des optiques réfléchissantes dans le vide, où la lumière EUV peut se propager. ASML explique ces principes dans sa présentation des systèmes EUV et ses principes de lithographie. Ces éléments décrivent le procédé EUV général ; les affirmations sur les miroirs et la source lumineuse concernent, elles, la conception proposée pour Hyper-NA.
Développement commencé, fabrication non décidée
ASML aurait commencé à développer Hyper-NA, mais ne se serait pas engagée à la produire. Les auteurs de l’étude signalent aussi des défis techniques encore à relever : l’horizon d’une dizaine d’années reste donc une perspective, pas un calendrier de fabrication.
Au-delà de Hyper-NA, les auteurs estiment que les générations suivantes pourraient avoir besoin d’une longueur d’onde plus courte. Cette piste relève encore de la recherche académique.
