Scott DeBoer afirmou em um evento da Micron que a empresa não seguirá com a DRAM 4F². O presidente e diretor de tecnologia e produtos da Micron atribuiu a decisão ao custo e à complexidade de fabricação, além de limites de escalabilidade. Para ele, a densidade prática depende também do espaçamento e das dimensões dos capacitores, não apenas da área nominal da célula.

Por que uma célula 4F² menor não garante mais densidade

Com as mesmas dimensões de fabricação, uma célula 4F² tem área nominal cerca de 33% menor que uma célula 6F². Em uma comparação geométrica idealizada, isso poderia permitir até 50% mais células por wafer. Esses números descrevem a área teórica e uma projeção de ocupação, não a densidade de bits obtida na fabricação comercial.

O “F” representa a dimensão mínima de um elemento do processo litográfico, usado para definir o tamanho nominal da célula. Na prática, a quantidade de bits por área depende também do passo, do tamanho e das dimensões do capacitor. O transistor precisa se acomodar sob essa estrutura, então reduzir a área nominal da célula não assegura um ganho proporcional na memória produzida.

DeBoer disse que a Micron avaliou a arquitetura por cerca de duas décadas. Ele também reconheceu que a DRAM 4F² pode ser fabricada em nós de processo anteriores, mas afirmou que ela exige mais complexidade e custo e enfrenta problemas fundamentais de escala. A decisão descreve a estratégia da Micron, não uma impossibilidade de fabricar células 4F².

Micron pretende continuar com 6F² e desenvolver DRAM 3D

A alternativa da Micron é seguir escalando a DRAM 6F², com redução do passo do capacitor e avanços nos processos de fabricação, enquanto desenvolve DRAM 3D. Nessa arquitetura, camadas de células de memória são empilhadas verticalmente.

O empilhamento de camadas na DRAM 3D é diferente de usar transistores de canal vertical dentro de uma célula 4F². São abordagens distintas para a estrutura da memória. A Micron relaciona a transição para DRAM 3D a uma combinação viável de densidade, complexidade de fabricação e custo.

CXMT e YMTC têm metas de desenvolvimento próprias

A CXMT teria como meta lançar até o fim de 2026 um módulo DDR5 RDIMM 4F² para servidores. Separadamente, a YMTC teria uma meta de desenvolvimento de DRAM 4F² com transistores de canal vertical e taxa de transferência de 9.600 MT/s. São objetivos reportados de empresas diferentes, enquanto a Micron descreve sua própria rota com 6F² e DRAM 3D.