Em 21 de outubro de 2026, Scott DeBoer, presidente e diretor de tecnologia e produtos da Micron Technology, disse durante um webinar da empresa que a Micron não buscaria comercializar DRAM 4F². Segundo a avaliação da companhia, custo, complexidade e problemas de escalonamento reduzem a atratividade da arquitetura. DeBoer apontou o passo entre os capacitores como um fator decisivo para a densidade prática da memória.

A declaração veio no contexto de um avanço em 4F² anunciado pela chinesa ChangXin Memory Technologies (CXMT). Para outro recorte da disputa por memória ligada a aceleradores chineses de IA, a NeoTeo já publicou uma reportagem sobre a pressão da HBM nesse mercado.

Por que a Micron rejeita a DRAM 4F² comercial

A Micron afirma que a área nominal menor da célula não resolve, por si só, o desafio de aumentar a densidade da DRAM. DeBoer disse que o passo dos capacitores, isto é, o espaçamento entre eles, pesa mais nesse cálculo do que o formato nominal da célula. A empresa também aponta custo e complexidade maiores e problemas de escalonamento nos nós mais avançados. DeBoer afirmou que a Micron estudou a tecnologia por cerca de duas décadas.

A Micron disse que consegue fabricar DRAM 4F² em nós mais antigos, mas considera que os custos e a complexidade não justificam seguir por esse caminho comercialmente. Essa é a avaliação técnica da empresa, não uma medição independente do desempenho de projetos da CXMT.

O que a diferença entre 4F² e 6F² permite concluir

Na notação 4F² e 6F², F representa uma dimensão característica da célula. Se essa dimensão for igual nos dois projetos, uma célula 4F² tem, em termos nominais, um terço menos de área que uma 6F². Nessa geometria idealizada, caberiam teoricamente 50% mais células na mesma área.

Esse cálculo descreve a área nominal das células, não a densidade prática de uma matriz de DRAM. O passo e o tamanho dos capacitores limitam quanto dessa diferença geométrica pode se traduzir em células efetivamente acomodadas no arranjo. Portanto, a comparação teórica não basta para prever a densidade de um chip fabricado.

A rota de DRAM 3D descrita pela Micron

A direção apresentada pela Micron combina a continuidade do escalonamento de 6F² com uma rota paralela de DRAM 3D. O roteiro relatado posiciona a DRAM 3D entre os nós 1-zeta e 1-eta, e sua implementação depende da viabilidade econômica. A empresa não apresentou essa rota como uma data de produção comercial.

A decisão sobre 4F² é uma escolha de arquitetura, não um anúncio de expansão de produção. Sozinha, ela não aponta para um aumento imediato da oferta nem sustenta uma previsão de queda rápida nos preços da DRAM.