Laut einem Bericht vom 22. Oktober 2026 soll Micron die geplante NAND-Generation G10 auslassen und direkt von G9 zu G11 wechseln. Blocks & Files stützte den Bericht auf Äußerungen von Scott DeBoer, Microns Präsident und Technik- und Produktchef, bei einem Technologie-Webinar am 21. Oktober.
DeBoer zufolge ist G11 auf künftige KI-Produkte ausgelegt. Die Roadmap nennt für den Volumenhochlauf die zweite Jahreshälfte 2027.
Welche Ziele Micron für G11 nennt
Im Oktober 2026 beschrieb der Bericht G9 als Microns ausgelieferte NAND-Generation mit 276 Schichten. Als erstes Produkt mit G9 nennt er die im Juli 2024 eingeführte Client-SSD Micron 2650. Gegenüber G9 soll G11 laut den von Micron genannten Zielen eine höhere Bitdichte, schnellere Ein- und Ausgabe sowie einen geringeren Energiebedarf für die Übertragung von Daten erreichen.
| Messgröße | G9 | Ziel für G11 |
| Schichten | 276 | Mehr als 400 |
| Bitdichte | Referenzwert | Doppelt so hoch wie bei G9 |
| I/O-Geschwindigkeit | Referenzwert | Bis zu 1,5-mal so hoch wie bei G9 |
| Energie für die Übertragung eines Bits | Referenzwert | 25 Prozent weniger als bei G9 |
Die Angaben sind Microns Roadmap-Ziele, keine Messwerte eines fertigen G11-Produkts. Für den geplanten Aufbau setzt Micron auf Wafer-auf-Wafer-Bonding, bei dem Wafer miteinander verbunden werden.
Zwei geplante NAND-Ansätze für KI-Systeme
Micron skizzierte zwei unterschiedliche Richtungen für künftige KI-Speicher. Ein Konzept setzt auf SLC-NAND und kleine Blöcke, um besonders viele I/O-Vorgänge pro Sekunde (IOPS) zu ermöglichen. Für eine künftige SSD mit hoher IOPS-Leistung wurde ein Zielbereich von 25 bis 100 Millionen IOPS genannt.
Der zweite Ansatz zielt auf hohe Bandbreite: Gestapelter NAND-Speicher soll über TSVs, also Durchsilizium-Verbindungen, an einen Basis-Chip angebunden und nahe an der Recheneinheit platziert werden. DeBoer zufolge braucht dieser Ansatz die Zusammenarbeit mit Kunden und einen wirtschaftlich tragfähigen Preis.
