Blocks & Files podał 22 października 2026 r., że Micron zrezygnował z planowanej generacji NAND G10, a po G9 ma nastąpić G11. Relacja opiera się na wypowiedziach Scotta DeBoera, prezesa i dyrektora ds. technologii i produktów Microna.
Cele G11 na tle G9
Według relacji G9, generacja NAND, którą Micron wówczas wysyłał, ma 276 warstw. Scott DeBoer przedstawił cele dla G11, zestawione poniżej względem G9.
| Parametr | G9 | Cel dla G11 |
| Liczba warstw | 276 | ponad 400 |
| Gęstość bitów | poziom odniesienia | 2× G9 |
| Szybkość I/O | poziom odniesienia | do 1,5× G9 |
| Energia na transfer bitu | poziom odniesienia | o 25% mniej niż w G9 |
Micron wiąże G11 z przyszłymi produktami AI. Podane wartości to cele roadmapy tej generacji. DeBoer wskazał też, że G11 ma wykorzystywać łączenie wafer-on-wafer, czyli łączenie wafli krzemowych.
Kiedy planowane jest zwiększanie produkcji G11?
Według relacji plan zakłada zwiększanie produkcji G11 w drugiej połowie 2027 r. To termin przyszły względem zapowiadanej roadmapy.
Dwie koncepcje NAND dla systemów AI
Pierwszy kierunek to pamięć NAND typu SLC (single-level cell), ułożona w małe bloki i przeznaczona do zastosowań wymagających wysokiej liczby operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS). Dla przyszłego SSD z tej kategorii podano cel od 25 do 100 mln IOPS.
Druga koncepcja stawia na dużą przepustowość. Zakłada piętrową pamięć NAND połączoną z układem bazowym przez TSV, czyli przelotowe połączenia przez krzem, i umieszczoną blisko układu obliczeniowego. DeBoer wskazał, że taki projekt wymagałby współpracy z klientami i uzasadnienia kosztów.
