TSMC bekräftigte am 8. November erneut seinen Fokus auf das Foundry-Geschäft, also die Auftragsfertigung von Logikchips. Die Seoul Economic Daily berichtete über diese Aussage, nachdem zuvor Pläne für 3D DRAM auf Anfrage von Nvidia gemeldet worden waren. Eine von MLQ.ai wiedergegebene Erklärung eines TSMC-Sprechers betonte die Foundry-Arbeit und die Versorgung der globalen Logikchipbranche, beantwortete die Frage nach dem konkreten Vorhaben aber nicht ausdrücklich.
Eine Erkundung ist noch keine zusätzliche DRAM-Lieferung.
Was über TSMCs 3D-DRAM-Pläne berichtet wurde
Am 6. November berichtete The Information laut Seoul Economic Daily und MLQ.ai unter Berufung auf zwei mit den Gesprächen vertraute Personen, TSMC habe auf Anfrage von Nvidia begonnen, Pläne für 3D DRAM auszuarbeiten. Als mögliche Wege nannte die Seoul Economic Daily den Bau neuer Werke oder den Kauf und Umbau bestehender Anlagen. Hsu Kuo-chin, TSMCs Vizepräsident für Advanced Packaging, soll die Erkundung beaufsichtigen, berichtete MLQ.ai.
Speicherzellen im Vergleich zu HBM-Chips
Das beschriebene 3D-DRAM-Konzept ordnet Speicherzellen vertikal an. Bei HBM werden dagegen vollständige Speicherchips übereinandergestapelt und über Silizium-Durchkontaktierungen miteinander verbunden. TSMC wurde in den Berichten kein konkretes Design für das mögliche Vorhaben zugeschrieben.
Lam Researchs englischsprachige Animation veranschaulicht eine mögliche 3D-Skalierung, bei der Speicherzellen um 90 Grad gedreht und vertikal gestapelt werden. Sie erläutert außerdem allgemeine Fertigungskonzepte wie Ätzen tiefer Strukturen, EUV-Musterung und Atomlagenabscheidung (ALD). Diese Verfahren und die gezeigte Zellstruktur gehören zur allgemeinen technischen Erklärung, nicht zu einem beschriebenen TSMC-Prozess.
Für HBM bietet NeoTeos frühere Einordnung von Microns Foundry-Plänen für HBM4E- und NVHBM-Base-Dies zusätzlichen Kontext dazu, welche Rolle Foundry-Fertigung bei Speichersystemen spielen kann.
Warum zusätzliche Speicherfertigung Zeit brauchen würde
Die Seoul Economic Daily berichtet, dass Logikchips und DRAM unterschiedliche Fertigungsprozesse benötigen und ein Einstieg eigene Technologieentwicklung sowie Fertigungsanlagen erfordern würde. Der englischsprachige Beitrag der Zeitung ist eine KI-Übersetzung aus dem Koreanischen. Außerdem gibt er eine Einschätzung von Tom’s Hardware wieder: Selbst der Kauf eines Speicherherstellers würde jahrelange Forschung und Entwicklung sowie Investitionen in Milliardenhöhe erfordern.
In einer am 7. November veröffentlichten Einschätzung rechnete Tom’s Hardware damit, dass 3D DRAM die Speicherknappheit mindestens fünf Jahre lang nicht lindern werde; MLQ.ai gab diese Bewertung wieder.
