Micron will die Base-Dies für HBM4E und das kundenspezifische NVHBM in Foundry-Prozessen fertigen lassen. Das erklärte Technik- und Produktchef Scott DeBoer am 30. September 2026. Samsung erwägt Berichten zufolge für kundenspezifische HBM-Produkte je nach Kundenanforderung Base-Dies von Samsung Foundry oder TSMC.
Was sich bei Micron zwischen HBM4 und HBM4E ändert
Bei Microns HBM4 kommen Berichten zufolge DRAM-Kerndies der Generation 1β mit einem unternehmenseigenen Base Die zusammen. Für HBM4E setzt Micron dagegen auf einen in einem Foundry-Prozess gefertigten Base Die. Die Foundry, die diesen Chip herstellen soll, nannte DeBoer in seiner Erklärung nicht.
HBM4E ist Microns JEDEC-standardisierte Produktfamilie. NVHBM entsteht kundenspezifisch gemeinsam mit NVIDIA. Für beide Produktlinien beschrieb DeBoer denselben Fertigungsansatz für den Base Die.
Warum der Base Die für NVHBM zentral ist
Der Base Die bildet die unterste Schicht eines HBM-Stacks. Über ihn ist der Stapel aus DRAM-Kerndies mit dem Host-Prozessor verbunden; außerdem kann der Chip Steuerungs- und Schnittstellenfunktionen übernehmen.
NVIDIA kündigte NVHBM im August 2026 an. Die Architektur verlegt NVIDIAs kundenspezifischen Speichercontroller vom XPU-Chip in den Base Die. Damit übernimmt dieser Baustein in NVHBM eine konkrete Logikfunktion neben seiner Rolle als Verbindung zwischen Speicherstapel und Prozessor.
Samsung erwägt zwei Wege für kundenspezifisches HBM
Samsung soll für Base-Dies kundenspezifischer HBM-Produkte sowohl Samsung Foundry als auch TSMC in Betracht ziehen. Welcher Weg zum Einsatz kommt, soll von den Anforderungen des jeweiligen Kunden abhängen.
Samsung Memory soll Kunden bei Entwurf und Optimierung unterstützen, auch wenn ein Base Die in einem TSMC-Prozess gefertigt wird. Ein Kunde entwickle Berichten zufolge bereits ein Produkt, das Samsung-HBM-Kerndies mit einem bei TSMC gefertigten Base Die kombiniert.
