Em 30 de setembro de 2026, Scott DeBoer, diretor de tecnologia e produtos da Micron, afirmou que a empresa planeja usar base dies fabricados em processos de foundry no HBM4E e no NVHBM. No HBM4, a Micron usa um base die próprio; para o custom HBM, a Samsung poderia recorrer à Samsung Foundry ou à TSMC, conforme as exigências de cada cliente.
Micron planeja usar foundries no HBM4E e no NVHBM
No HBM4, a Micron combina dies de núcleo 1β com um base die produzido internamente. Para o HBM4E, a configuração prevista muda: os dies de núcleo são 1γ, e o base die será fabricado em um processo de foundry. DeBoer também incluiu o NVHBM customizado, desenvolvido com a NVIDIA, nesse plano.
Uma foundry fabrica chips para outras empresas. Nesse caso, a declaração de DeBoer aponta para o uso desse tipo de processo no base die, sem especificar um fornecedor.
O papel do base die no NVHBM
O base die fica na parte inferior da pilha de memória HBM e conecta os dies de DRAM ao processador que acessa a memória. Também pode reunir funções de controle e interface.
Anunciado pela NVIDIA em agosto de 2026, o projeto NVHBM prevê integrar o controlador de memória personalizado da empresa ao base die, em vez de mantê-lo no die do XPU. Assim, esse componente combina a conexão da pilha de memória com uma função de controle que, nessa arquitetura, fica no próprio die inferior.
Samsung considera duas rotas para o custom HBM
A Samsung poderia usar um base die fabricado pela Samsung Foundry ou pela TSMC, conforme os requisitos de cada cliente. Nesse cenário, a divisão de memória da Samsung daria suporte ao projeto e à otimização do base die fabricado pela TSMC.
