30 września 2026 r. Scott DeBoer, dyrektor ds. technologii i produktów w Micron, powiedział, że base die dla HBM4E i opracowywanej wspólnie z NVIDIA pamięci NVHBM będą wytwarzane w procesach foundry. To zmiana względem podejścia Micron do HBM4, w którym — według doniesień — firma wykorzystuje własny base die. Osobno, według doniesień z 15 września 2026 r., Samsung rozważa wybór między Samsung Foundry a TSMC przy produkcji base die dla custom HBM, zależnie od wymagań klienta.
Micron stawia na procesy foundry dla HBM4E i NVHBM
W przypadku HBM4 Micron łączy rdzenie DRAM 1β z własnym base die — tak opisywany jest dotychczasowy wariant firmy. Dla HBM4E plan zakłada rdzenie 1γ oraz base die wytwarzany w procesie foundry. Scott DeBoer wskazał ten kierunek także dla NVHBM.
Foundry to fabryka specjalizująca się w wytwarzaniu układów scalonych. Wybór procesu foundry oznacza więc, że base die powstaje z wykorzystaniem technologii produkcyjnej takiej odlewni półprzewodników.
Dlaczego base die ma znaczenie w NVHBM
Base die znajduje się na dole stosu HBM: łączy ułożone warstwy pamięci DRAM z procesorem, który z nich korzysta. Może też zawierać układy sterujące i interfejsy. W NVHBM NVIDIA umieszcza w tej warstwie własny kontroler pamięci, który w standardowej konfiguracji znajduje się na kości XPU.
NVIDIA ogłosiła NVHBM w sierpniu 2026 r. i w porównaniu ze standardowym HBM4E deklaruje do 30% większą przepustowość pamięci, o 15% niższe zużycie energii przez HBM oraz do 25% więcej wolnego miejsca na kości obliczeniowej XPU. To firmowe deklaracje dotyczące projektu NVHBM.
Samsung rozważa dwie ścieżki dla custom HBM
Według doniesień Samsung może dobierać dostawcę base die do wymagań klienta: w grę wchodzi Samsung Foundry albo TSMC. Przy wariancie z układem produkowanym przez TSMC Samsung Memory ma wspierać jego projektowanie i optymalizację.
W takim modelu wybór foundry nie musi być jednakowy dla każdego zamówienia custom HBM. Klient może wpływać na to, z którego procesu produkcyjnego skorzysta dany projekt.
