El 30 de septiembre de 2026, Scott DeBoer, director de Tecnología y Productos de Micron, dijo que los base dies de HBM4E y NVHBM se desarrollarían mediante procesos de fundición. La declaración abarca tanto la memoria HBM4E estándar JEDEC como el diseño personalizado de NVHBM, creado junto con NVIDIA.

El plan de fabricación de Micron para HBM4E y NVHBM

La diferencia frente al enfoque descrito para HBM4 está en el base die. En ese producto, Micron combina dies centrales de DRAM 1β con un base die de fabricación propia. Para HBM4E, el diseño previsto emplea dies centrales 1γ y un base die producido mediante un proceso de fundición.

DeBoer no identificó una fundición concreta en su declaración. El punto clave del plan de Micron es el método de fabricación del base die, no la elección de un proveedor determinado.

Qué hace el base die en NVHBM

El base die es la capa lógica inferior de una pila de HBM: conecta los dies de DRAM apilados con el procesador anfitrión y puede integrar funciones de control e interfaz. En NVHBM, NVIDIA sitúa su controlador de memoria personalizado en esa capa, en vez de hacerlo en el die XPU. NVIDIA anunció esta arquitectura en agosto de 2026.

Ese diseño da al base die un papel más directo en la organización de la memoria: además de enlazar la pila con el procesador, aloja el controlador personalizado de NVHBM. Por eso, la fabricación del componente forma parte de la estrategia de diseño tanto para HBM4E como para la memoria personalizada de NVIDIA.

Samsung contempla dos rutas para el custom HBM

Samsung podría fabricar los base dies de custom HBM en Samsung Foundry o recurrir a TSMC, según las necesidades de cada cliente. La opción descrita es flexible: no supone que una de las dos fundiciones vaya a producir todos los base dies de Samsung.

Dos alcances distintos para la fabricación

El plan de Micron abarca HBM4E estándar JEDEC y NVHBM; la alternativa de Samsung se refiere al custom HBM y dependería de cada cliente. En ambos casos, el diseño del base die y la elección de cómo fabricarlo quedan ligados al tipo de memoria que se desarrolla.