ChangXin Memory Technologies (CXMT) consacrerait 22,4 milliards de yuans à l’achat d’équipements, soit environ 93 % des 24,1 milliards prévus pour sa R&D de nouvelles technologies. Cette enveloppe s’inscrit dans un plan de 34,9 milliards de yuans que le conseil d’administration de CXMT aurait approuvé le 28 septembre 2026. Le précédent article de NeoTeo sur ce plan en présentait les deux grands projets.

Comment se répartissent les 34,9 milliards de yuans

Le plan répartirait les fonds entre la R&D de nouvelles technologies et la deuxième phase d’une base de test de wafers. Le budget d’équipement est inclus dans l’enveloppe de R&D, et non ajouté au total.

Poste d’investissementMontantDétail
Plan total34,9 milliards de yuansR&D et deuxième phase de la base de test
R&D de nouvelles technologies24,1 milliards de yuansComprend 22,4 milliards pour l’achat d’équipements
Équipements22,4 milliards de yuansInclus dans l’enveloppe de R&D
Deuxième phase de la base de test10,8 milliards de yuansBase de test de wafers

Des fournisseurs chinois pourraient recevoir une part importante des commandes

Une part importante des commandes d’équipements pourrait revenir à des fournisseurs chinois. Cette attente porte sur les achats prévus dans le cadre du plan de CXMT.

Les démarrages de wafers ne mesurent pas la DRAM vendable

La capacité de CXMT était estimée à 300 000–320 000 démarrages de wafers par mois sur ses sites de Hefei et de Pékin. Pour 2027, les attentes du marché tablaient sur 420 000 démarrages mensuels.

Un démarrage de wafer correspond à une plaquette de silicium engagée dans la fabrication. Ce chiffre renseigne sur la capacité d’entrée en production, pas sur le volume de mémoire finie qui peut être vendu. Le rendement de fabrication, la densité des dies, le type de mémoire produit, la mise en boîtier et la qualification par les clients influent aussi sur la quantité de DRAM commercialisable.