Les quinze années évoquées par Frank Rohmund ne signifient pas que la Chine est mécaniquement à quinze ans d’une machine EUV commerciale. Le président-directeur général de ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology a présenté cet écart comme une estimation de position technologique dans le développement de la lithographie aux ultraviolets extrêmes (EUV), et non comme une mesure normalisée ni comme une échéance garantie pour toute l’industrie chinoise des semi-conducteurs.
Ce que signifie réellement l’estimation de quinze ans
L’EUV est la technologie de lithographie qui utilise une lumière de 13,5 nanomètres pour projeter des motifs extrêmement fins sur les semi-conducteurs. L’estimation rapportée en septembre 2026 vise donc un domaine industriel très spécialisé. Elle ne permet pas, à elle seule, de classer toute la filière chinoise des puces ni de prédire la date d’un éventuel rattrapage.
Cette nuance est essentielle : un écart technologique et un délai de rattrapage ne sont pas la même chose. Une industrie qui arrive plus tard peut emprunter une autre voie, réutiliser des solutions déjà connues ou accepter davantage de complexité et de coûts. Le nombre « quinze » décrit une comparaison annoncée par un dirigeant de ZEISS ; il ne constitue pas un compte à rebours.
ZEISS occupe une place centrale dans cette histoire. L’entreprise fournit les optiques de lithographie, notamment les systèmes d’éclairage et de projection à miroirs multicouches, qu’ASML intègre à ses machines EUV. Mais le défi ne se résume pas à fabriquer un miroir isolé : il faut faire fonctionner ensemble une source lumineuse, des optiques, un masque, une chambre sous vide, la mesure des défauts et l’ensemble du système de production.
Pourquoi l’EUV utilise des miroirs
La lumière EUV est absorbée par les matériaux optiques ordinaires et même par l’air. Une machine classique peut guider la lumière avec des lentilles ; une machine EUV doit donc travailler sous vide et réfléchir le faisceau sur des miroirs spécialement conçus.
Ces miroirs ne sont pas de simples surfaces métalliques. Ils utilisent des empilements de couches de silicium et de molybdène qui exploitent les interférences lumineuses pour réfléchir la longueur d’onde recherchée. Dans les optiques de projection EUV décrites par ZEISS, six miroirs participent à la formation de l’image.
L’échelle de l’ensemble donne une idée du problème. ZEISS indique que son système d’éclairage EUV rassemble environ 15 000 pièces et pèse 1,5 tonne. Les optiques de projection comptent, elles, environ 20 000 pièces pour une masse d’environ 2 tonnes. La miniaturisation des motifs sur la puce repose donc sur une infrastructure industrielle qui est tout sauf miniature.
Des miroirs presque impossibles à fabriquer
La difficulté se joue à plusieurs niveaux. Les couches du miroir doivent être déposées avec une régularité extrême, puis la surface doit être polie et mesurée avec une précision qui se compte en fractions de nanomètre. Le front d’onde — autrement dit l’écart entre la trajectoire réelle de la lumière et sa trajectoire idéale — doit rester parfaitement maîtrisé.
Les données techniques présentées dans les explications spécialisées donnent des ordres de grandeur vertigineux : environ 4,1 nm pour une couche de silicium et 2,7 nm pour une couche de molybdène. Une autre analyse vidéo cite une cible de polissage d’environ 53 picomètres RMS. Ces valeurs proviennent d’explications techniques vidéo et doivent être lues comme des repères de fabrication, distincts des spécifications publiées directement par ZEISS.
La source EUV ajoute une autre contrainte. Des gouttelettes d’étain sont frappées par deux impulsions laser CO₂ dans le vide afin de créer un plasma émettant la lumière EUV. Ce plasma peut contaminer le miroir collecteur, ce qui impose des opérations de nettoyage et de contrôle. Le problème n’est donc pas seulement optique : il concerne aussi les matériaux, le vide, la contamination, la métrologie et la fiabilité du fonctionnement.
EUV et DUV : deux niveaux de progression différents
Il faut également séparer l’EUV de la lithographie DUV, ou ultraviolet profond. La documentation technique de ZEISS cite une longueur d’onde de 193 nm pour le DUV, contre 13,5 nm pour l’EUV. Ce ne sont pas deux noms pour la même génération de machine : les contraintes physiques et industrielles diffèrent.
Les informations disponibles décrivent la Chine comme plus proche d’une production en volume pour des machines DUV à immersion que pour des systèmes EUV domestiques. Cette progression DUV rapportée ne prouve pas que la Chine maîtrise déjà l’architecture EUV complète.
| Technologie | Longueur d’onde citée | Architecture mise en avant | Ce que cela indique dans ce dossier |
| EUV | 13,5 nm | Miroirs multicouches et fonctionnement sous vide | Le niveau de complexité associé à l’estimation de ZEISS |
| DUV | 193 nm | Technologie de lithographie distincte | Une progression chinoise rapportée comme plus proche de la production en volume |
Un prototype qui produit une lumière EUV ne suffirait d’ailleurs pas à démontrer une machine de production. Il faudrait encore former une image exploitable, contrôler les défauts, maintenir les performances et produire des puces fonctionnelles avec un rendement industriel acceptable. Les éléments disponibles ne démontrent pas publiquement qu’un système EUV chinois a franchi toutes ces étapes.
Pourquoi 2028 et 2030 restent des prévisions
Des dates de 2028 et de 2030 apparaissent dans les projections rapportées autour d’une éventuelle production chinoise de puces avec une technologie EUV nationale. Elles ne correspondent pas à des jalons de production confirmés. Une cible industrielle exprime une ambition ; une prévision propose un scénario ; une démonstration reproductible et une production commerciale sont encore autre chose.
C’est la raison pour laquelle ces dates ne permettent pas de convertir l’estimation de quinze ans en calendrier précis. Elles décrivent des horizons envisagés, pas des événements établis. Même la formulation de l’écart doit rester prudente : les informations rapportées ne permettent pas de déterminer s’il concerne exactement les seules optiques, une machine EUV complète ou un ensemble technologique plus large.
Ce que l’écart permet — et ne permet pas — de conclure
L’estimation de Frank Rohmund donne surtout une mesure de la difficulté perçue pour rejoindre le niveau de maturité de l’EUV industriel associé à ZEISS et ASML. Elle ne dit pas que la Chine est incapable de fabriquer des puces avancées sans EUV, ni qu’elle devra attendre quinze années civiles pour atteindre un résultat donné.
Des procédés fondés sur des équipements DUV, la multipatternisation — qui consiste à multiplier les étapes d’exposition pour obtenir des motifs plus fins — ou des coûts de fabrication supérieurs peuvent modifier le calendrier et l’économie du rattrapage. Ces voies ne reproduisent pas nécessairement les mêmes performances ni la même productivité, mais elles montrent pourquoi le problème n’est pas binaire : entre « posséder une machine EUV commerciale » et « ne rien pouvoir fabriquer », il existe toute une gamme de solutions industrielles.
La conclusion la plus solide est donc plus précise que le slogan initial : ZEISS estime que la Chine accuse un retard important dans le développement de la technologie EUV, mais ce chiffre ne constitue ni une mesure universelle du retard des puces chinoises ni une date garantie pour un rattrapage. Pour comprendre l’enjeu, il faut regarder au-delà du miroir : la source, le vide, les couches, la métrologie et l’intégration du système forment un seul casse-tête industriel.
