Według informacji Reutersa przytoczonych w doniesieniach z 28 października 2026 r. ChangXin Memory Technologies (CXMT) planuje rozpocząć ograniczoną produkcję HBM3E w ciągu dwóch miesięcy od tej daty. Podawany w tych relacjach szacunek uzysku wynosi 20–30%.
HBM to pamięć o wysokiej przepustowości. Uzysk oznacza odsetek układów, które po produkcji spełniają wymagane specyfikacje.
Plan ograniczonej produkcji i szacunek uzysku
Plan opisany w doniesieniach dotyczy ograniczonej produkcji HBM3E, a nie dostaw na dużą skalę. Szacowany uzysk CXMT na poziomie 20–30% oznaczałby, że taki odsetek wyprodukowanych układów spełnia specyfikacje. W tej samej relacji przytoczono szacunek około 70% dla SK hynix, ale nie podano wspólnych warunków pomiaru, które pozwoliłyby bezpośrednio porównać te wartości.
Próbki, raportowana wydajność i możliwe wejście na rynek
Według doniesień CXMT miała wysłać próbki do kilku chińskich projektantów układów AI. Próbki obejmowały dwa warianty: standardowy oraz zmodyfikowany z myślą o poprawie uzysku.
Źródło cytowane w relacji Reutersa oceniało, że wyniki testów HBM3E CXMT były bliższe starszej generacji HBM3 firmy SK hynix niż HBM3E. Produkty wykorzystujące pamięć CXMT mogłyby pojawić się na rynku już w 2027 roku.
Odrębna prognoza dotycząca HBM4
W osobnym doniesieniu z 28 października podano, że SK hynix oczekiwał, iż w IV kwartale 2026 r. HBM4 przewyższy HBM3E pod względem dostaw i przychodów.
