15 września 2026 roku Micron Technology zademonstrował na kilku platformach serwerowych moduł DDR5 RDIMM o pojemności 512 GB. Pamięć osiąga deklarowaną szybkość transferu do 9200 MT/s i jest przeznaczona dla infrastruktury obsługującej sztuczną inteligencję, analitykę, bazy danych działające w pamięci, wirtualizację oraz symulacje. Produkcja seryjna jest planowana na drugą połowę 2027 roku.

To ważna zmiana przede wszystkim dla centrów danych: jeden moduł ma pomieścić tyle danych, ile wcześniej wymagało kilku mniejszych kości. Nie jest to jednak pamięć do typowego peceta. DDR5 RDIMM należy do segmentu serwerowego.

512 GB w jednym module dzięki piętrowaniu układów DRAM

Micron Technology wykorzystuje pionowo ułożone kości DRAM połączone przez TSV, czyli pionowe połączenia prowadzone przez krzem. Taka konstrukcja zwiększa gęstość pamięci wewnątrz pakietów, a następnie pozwala zbudować moduł o pojemności 512 GB.

W konfiguracji serwerowej z 24 gniazdami i dwoma procesorami rozwiązanie może zapewnić do 12 TB pamięci DDR5. Taka pojemność ma znaczenie przy dużych modelach AI, analityce danych, bazach in-memory, systemach wirtualizacji oraz obciążeniach korzystających z pamięci podręcznej, takich jak RocksDB i Redis.

Micron Technology podaje również szybkość transferu do 9200 MT/s. To wartość deklarowana dla modułu, a nie uniwersalny wynik dla każdej platformy lub konfiguracji serwerowej.

Mniej modułów, niższy pobór mocy w porównaniu Microna

Dla tej samej łącznej pojemności 512 GB Micron Technology zestawia jeden moduł 512 GB z czterema modułami 128 GB. W jego porównaniu pierwszy wariant pobiera 16,0 W, a drugi 44,2 W łącznie.

KonfiguracjaŁączna pojemnośćLiczba modułówPobór mocy w porównaniu Microna
Jeden moduł DDR5 RDIMM 512 GB512 GB116,0 W
Cztery moduły DDR5 RDIMM 128 GB512 GB444,2 W łącznie

Micron Technology opisuje tę różnicę jako ponad 60-procentową redukcję poboru mocy względem czterech modułów 128 GB. To porównanie dotyczy konkretnych konfiguracji pamięci, a nie całego serwera.

Firma deklaruje także do 1,4 raza wyższą wydajność względem konfiguracji DDR5 256 GB w obciążeniach analitycznych Spark SVM ograniczonych przepustowością pamięci. SVM, czyli maszyny wektorów nośnych, to metoda uczenia maszynowego wykorzystywana do klasyfikacji danych. Wynik dotyczy właśnie tego rodzaju obciążenia i nie opisuje wydajności modułu w każdym zastosowaniu.

AMD i Intel sprawdzają zgodność z przyszłymi platformami serwerowymi

Techniczne wyjaśnienie różnic między DDR5 RDIMM i UDIMM oraz demonstracja niezgodności gniazd

AMD i Intel walidują 512GB DDR5 RDIMM na platformach serwerowych nowej generacji. Micron Technology wiąże moduł z większą gęstością pamięci w istniejących obudowach serwerowych, obsługą większych zbiorów danych i ograniczeniem przesyłania danych między pamięcią a wolniejszymi poziomami magazynowania.

Dlaczego ten moduł nie pasuje do zwykłego komputera?

RDIMM, czyli pamięć z rejestrem, różni się od konsumenckiego UDIMM nie tylko pojemnością. Moduły serwerowe zawierają między innymi układ RCD odpowiedzialny za sterowanie zegarem, układ PMIC zarządzający zasilaniem oraz koncentrator SPD przechowujący informacje o module. Mają też inną organizację elektryczną i mechaniczną.

Gniazda RDIMM i UDIMM są fizycznie niekompatybilne w pokazanej konfiguracji sprzętowej. Dlatego moduł Microna wymaga odpowiedniej platformy serwerowej; zwykła płyta główna do komputera stacjonarnego nie jest właściwym środowiskiem dla tej pamięci.

Produkcja seryjna jest planowana na drugą połowę 2027 roku

Micron Technology przedstawia 512GB DDR5 RDIMM jako demonstrację i rozwiązanie przygotowywane do produkcji seryjnej. Firma planuje rozpoczęcie produkcji wolumenowej w drugiej połowie 2027 roku, zgodnie z zapotrzebowaniem klientów.

Dla operatorów centrów danych najważniejsza jest nie sama liczba 512 GB, lecz możliwość zwiększenia ilości pamięci bez zajmowania większej liczby gniazd. To właśnie ten kierunek — więcej danych bliżej procesorów i akceleratorów AI — wyznacza praktyczne znaczenie demonstracji Micron Technology.