ChangXin Memory Technologies (CXMT) poinformowało 20 września 2026 r., że jego piąta generacja platformy DRAM, G5, weszła do masowej produkcji. Chiński producent pokazał przy tej okazji dwa układy LPDDR5X o pojemności 24 Gb każdy, przeznaczone do smartfonów i urządzeń przenośnych.
Firma podała również parametry procesu: próg 11,95 nm dla odpowiednich struktur komórek pamięci, poczwórne wzorcowanie oraz co najmniej 50% więcej potencjalnych matryc na waflu względem platformy czwartej generacji. To ważny krok dla CXMT, ale nie jest jeszcze równoznaczny z porównywalną pozycją handlową wobec Samsung Electronics, SK hynix czy Micron Technology.
CXMT G5 wchodzi do masowej produkcji
G5 to piąta generacja platformy technologicznej DRAM firmy CXMT. Komunikat z 20 września dotyczył zarówno samej platformy, jak i dwóch produktów LPDDR5X wykonanych z jej użyciem.
LPDDR5X to niskonapięciowa pamięć DRAM stosowana przede wszystkim w smartfonach i innych urządzeniach przenośnych. W przypadku nowych układów CXMT podało pojemność 24 Gb na produkt oraz dwa formaty obudowy dopasowane do różnych konstrukcji urządzeń.
Jakie układy LPDDR5X pokazało CXMT
Dwa zaprezentowane produkty mają tę samą deklarowaną pojemność 24 Gb, lecz są dostępne w dwóch formatach obudowy. Dzięki temu mogą zostać wykorzystane w różnych projektach smartfonów i urządzeń przenośnych.
Wcześniejsza oferta CXMT obejmowała inne warianty LPDDR5X. Firma informowała, że układy o szybkościach 8533 Mb/s i 9600 Mb/s weszły do masowej produkcji w maju 2025 r. W październiku 2025 r. wariant 10 667 Mb/s był dostępny do próbkowania przez klientów. Nie należy łączyć tych parametrów z nowymi produktami G5 o pojemności 24 Gb — chodzi o osobne etapy rozwoju oferty.
Co oznaczają 11,95 nm i poczwórne wzorcowanie
CXMT podało próg 11,95 nm dla odpowiednich struktur komórek pamięci w platformie G5. W opisie procesu firma użyła także określeń „poczwórne wzorcowanie” i „poczwórna ekspozycja”. W dostępnym opisie odnoszą się one do tego samego zgłaszanego podejścia produkcyjnego.
Luo Xiaodong, wiceprezes CXMT i szef centrum marketingowego firmy, ocenił, że możliwości procesu G5 dorównują najbardziej zaawansowanym obecnie masowo produkowanym rozwiązaniom pamięciowym. To stanowisko CXMT dotyczące własnej platformy. Samsung Electronics, SK hynix i Micron Technology pozostają konkurentami przywoływanymi w kontekście globalnego rynku DRAM, ale sam próg 11,95 nm nie stanowi bezpośredniego odpowiednika procesu 10 nm stosowanego przez innych producentów.
„50% więcej matryc na waflu” nie oznacza 50% uzysku
CXMT podało, że G5 zapewnia co najmniej 50% więcej potencjalnych matryc na waflu niż platforma czwartej generacji. Porównanie odnosi się do układu o pojemności 8 Gb.
W tym przypadku chodzi o brutto liczbę możliwych matryc przed odrzuceniem wadliwych sztuk. Uzysk końcowy, czyli odsetek układów przechodzących testy, jest osobnym parametrem produkcyjnym. Prosty wzrost liczby miejsc na waflu nie opisuje więc całej wydajności linii.
Dlaczego ten ruch ma znaczenie dla rynku DRAM
CXMT rozwija własne zaplecze DRAM w czasie, gdy Chiny próbują ograniczyć zależność od zagranicznych technologii półprzewodnikowych. Osią G5 są większa deklarowana gęstość układów, efektywność energetyczna, kontrola kosztów oraz liczba matryc uzyskiwanych z wafla.
Masowa produkcja platformy i pokazanie dwóch układów LPDDR5X oznaczają, że CXMT przechodzi do kolejnego etapu rozwoju oferty pamięci mobilnych. Wcześniejsze produkty firmy o szybkościach 8533 i 9600 Mb/s były już w masowej produkcji od maja 2025 r., a wariant 10 667 Mb/s znajdował się w październiku 2025 r. na etapie próbkowania klientów.
W praktyce G5 rozszerza techniczne ambicje CXMT na kolejną generację DRAM. Ostateczne znaczenie platformy dla rynku zależy od tego, jak jej produkty będą wypadały w realnej produkcji i w urządzeniach wykorzystujących pamięć LPDDR5X.
