W II kwartale 2026 r. proces 3 nm odpowiadał za 30% przychodów TSMC ze sprzedaży wafli krzemowych, a 5 nm — za 33%. Historyczne porównanie kolejnych generacji pokazuje, że udział najnowszego procesu nie musi rosnąć najszybciej: w szóstym osobno raportowanym kwartale 7 nm osiągnęło 35%, podczas gdy 3 nm — 26%.
Udział 3 nm w II kwartale 2026 r.
W drugim kwartale 2026 r. na proces 3 nm przypadało 30% przychodów TSMC ze sprzedaży wafli, wobec 33% dla 5 nm. To udziały poszczególnych technologii w przychodach z wafli krzemowych, czyli w ich strukturze według procesu.
Jak porównano generacje procesów
Zestawienie obejmuje pierwszych sześć kwartałów, w których TSMC raportowało udział każdej generacji jako osobną pozycję. Porównuje więc ten sam etap raportowania dla kolejnych procesów, a nie kwartały z tych samych lat kalendarzowych.
Udział w drugim i szóstym raportowanym kwartale
W drugim osobno raportowanym kwartale 3 nm miało 15% udziału, a w szóstym — 26%. Wśród uwzględnionych generacji najwyższy wynik w szóstym punkcie osiągnęło 7 nm: 35%.
| Proces | Drugi osobno raportowany kwartał: udział w przychodach z wafli | Szósty osobno raportowany kwartał: udział w przychodach z wafli |
| 10 nm | 25% | 6% |
| 7 nm | 23% | 35% |
| 5 nm | 20% | 23% |
| 3 nm | 15% | 26% |
Dlaczego ścieżki wzrostu były różne
Jednym z czynników różniących kolejne wdrożenia było doświadczenie produkcyjne odziedziczone po wcześniejszych generacjach. W przypadku przejścia z 10 nm na 7 nm ponad 95% narzędzi miało być kompatybilnych, co pozwalało wykorzystać wiedzę zdobytą przy poprzednim procesie.
Przejście na 5 nm wyglądało inaczej: planowano szerokie zastosowanie litografii EUV, między innymi po to, by ograniczyć złożoność procesu. Zmieniały się też docelowe zastosowania. Proces 10 nm wiązano przede wszystkim z wydajnymi produktami mobilnymi; 7 nm obejmowało urządzenia mobilne i obliczenia wysokiej wydajności (HPC), a 5 nm od początku kierowano do obu tych obszarów.
Co oznacza nazwa 3 nm
„3 nm” to oznaczenie generacji procesu technologicznego, a nie dosłowny wymiar każdej cechy tranzystora. Nazwa pozwala odróżniać generacje, ale nie określa jednej fizycznej długości wszystkich elementów układu.
