Il 21 ottobre 2026 Scott DeBoer, responsabile tecnologia e prodotti di Micron Technology, ha dichiarato che l’azienda non intende commercializzare DRAM 4F². Micron motiva la scelta con i costi, la maggiore complessità e i limiti di scalabilità che, secondo DeBoer, rendono poco vantaggioso quel progetto di cella.
Perché Micron scarta la DRAM 4F²
Le sigle 4F² e 6F² indicano l’area nominale della cella di memoria in rapporto a una dimensione caratteristica, F. Micron sostiene che ridurre l’area della cella non basta a ottenere una maggiore densità pratica: conta anche il passo tra i condensatori, cioè la distanza che li separa nella matrice di memoria.
DeBoer ha affermato che Micron può realizzare DRAM 4F² su nodi tecnologici meno avanzati, ma con costi e complessità maggiori. Per i processi più avanzati, ha indicato problemi di scalabilità. Micron ha detto di aver studiato l’architettura per due decenni prima di decidere di non perseguirla sul piano commerciale.
La scelta si inserisce nel confronto con ChangXin Memory Technologies (CXMT), che ha annunciato progressi nella DRAM 4F². È un capitolo diverso dalla precedente copertura di NeoTeo sul nodo HBM nei chip IA cinesi, ma entrambi riguardano la competizione sulle tecnologie di memoria.
Che cosa dice davvero il confronto tra 4F² e 6F²
A parità di dimensione delle caratteristiche, il calcolo geometrico riportato da Tom’s Hardware assegna a una cella 4F² un’area nominale inferiore di un terzo rispetto a una cella 6F². In teoria, questo potrebbe permettere di collocare il 50% di celle in più nella stessa area. È un confronto ideale, non una misura della densità ottenuta da un chip.
Il passo e le dimensioni dei condensatori condizionano lo spazio necessario nella matrice. Perciò una cella nominalmente più piccola non si traduce automaticamente in più bit per unità di superficie. Micron basa su questo vincolo la propria valutazione dei vantaggi pratici del 4F²; la geometria teorica, da sola, non determina quale densità raggiunga un prodotto reale.
Il percorso alternativo indicato da Micron
La roadmap riferita per Micron colloca la DRAM 3D tra i nodi 1-zeta e 1-eta. L’azienda ne ha descritto l’introduzione come dipendente dalla convenienza economica, senza indicare una data di produzione commerciale. Nel frattempo, la sua direzione dichiarata resta la scalabilità della DRAM 6F².
La decisione sul 4F² non comporta di per sé produzione o spedizioni aggiuntive: da sola, quindi, non permette di dedurre un rapido calo dei prezzi della DRAM.
